PRACTICAS

UNIVERSIDAD “ISRAEL”

CARRERA
ELECTRONICA DIGITAL Y TELECOMUNICACIONES
TEMA
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET
AUTOR
LUIS JONATHAN ROBLES ROBLES
TUTOR
ING. MAURICIO ALMINATI V
20 DE OCTUBRE DEL 2014
QUITO – ECUADOR
UNIVERSIDAD ISRAEL
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET
TÍTULO
Práctica 1: Curva característica del Transistor JFET y niveles de Operación.
OBJETIVOS
GENERALEntender el comportamiento del Transistor JFET.
ESPECÍFICOS
Comprobar el mecanismo de conducción de corriente de acuerdo al voltaje de puerta (VGS).
Identificar la región lineal en la curva característica de drenaje.
Graficar la familia de curvas características de drenaje (VDS contra ID) para la configuración drenaje-fuente.
MARCO TEÓRICO
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO JFET
3.1 Introducción
Eltransistor de efecto de campo FET es un dispositivo de 3 terminales que se utiliza para diversas aplicaciones, en gran parte, similares a las del transistor BJT aunque la principal diferencia entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente como se describe en la figura 5.1.a, mientras que el transistor JFET es un dispositivocontrolado por voltaje como se muestra en la figura 5.1.b. En otras palabras, la corriente IC de la figura 5.1.a es una función directa del nivel de IB. Para el FET la corriente ID será una función del voltaje VGS aplicado al circuito de entrada, como se muestra en la figura 5.1.b. En cada caso, la corriente del circuito de salida se controla por un parámetro del circuito de entrada, en un caso es conun nivel de corriente y en el otro, con un voltaje aplicado.
3.2 Construcción y Características (JFET)
La construcción básica del JFET de canal- n se muestra en la figura 5.2. Observe que la mayor parte de la estructura es el material de tipo n que forma el canal entre las capas integradas de material de tipo p. La parte superior del canal de tipo n se encuentra conectada por medio de uncontacto óhmico a una terminal referida como


Drenaje (D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de un contacto óhmico a una terminal referida como fuente (S). Los dos materiales de tipo p se encuentran conectados entre sí y también con la terminal de compuerta (G). Por lo tanto, el drenaje y la fuente se encuentran conectados a los extremos del canal de tipo ny la compuerta a las dos capas de material tipo p. En ausencia de potencial alguno aplicado, el JFET cuenta con dos uniones p-n bajo condiciones sin polarización. El resultado es una región de agotamiento en cada unión como se muestra en la figura 5.2, la cual se asemeja a la misma región de un diodo bajo condiciones sin polarización. Recuerde también que una región de agotamiento es aquellaregión que no presenta portadores libres y es, por tanto, incapaz de soportar la conducción a través de ella.

LISTADO DE MATERIALES Y EQUIPOS
Fuente de alimentación variable DC (1V-24V).
Multímetro, con el amperímetro operativo.
Resistencias: tres (3) de 1MΩ, tres (3) de 2kΩ y tres (3) de 100Ω.
Tres (3) Transistores FET canal N: 2N5951. Reemplazo el NTE312. También es válido el 2N5951 o el2N5953.
Protoboard.
Cables 24AWG.
Papel milimetrado, al menos unas 10 hojas.
Hojas cuadriculadas A4, un paquete de 50 hojas.
PROCEDIMIENTO
Preparatorio:
Simule el circuito que se ilustra en la Figura 1, en el software de simulación Qucs. Para la simulación cambie las características del transistor como se muestra en la última hoja de Anexos.
Establezca VGG de modo que VGS esté en 0V.Poco a poco ajuste VDD por cada valor de VDS que incluye en la Tabla 1. Con la sonda de corriente mida el valor de ID para cada valor de VDS y anótelo en la
Tabla 1.





3
Ajuste VGG para que VGS = -0,5V. Repita el paso 3 manteniendo VGG constante.







Repita los pasos 3 y 4 para todos los valores de VGS en la Tabla 1.
Con los datos de la Tabla 1, grafique las curvas...