preinforme electronica ufro

PRE-INFORME
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
AUTOR: Juan Ignacio Huircán
Integrantes:
Daniela Bonilla, Ingeniería Civil Telemática
Felipe Larenas, Ingeniería Civil Eléctrica
Desarrollo o Diseño#1
Tenemos un circuito en donde la potencia del resistor fluctúa entre 1⁄4 [W]y 1[W]. Si queremos diseñar R_1, tenemos que darnos una corriente máxima para que circule por el circuito.
Planteamos unLVK en el circuito que nos dará la siguiente información:

v_r+v_d=v_s
R_1 I+v_d=v_s

Según las características del diodo v_d=0.7[V].
Por lo tanto
R_1 I+v_d=v_s
Recordemos que v_s es elvoltaje de entrada el cual varía de 0-5[V]

Si calculamos la corriente que circulará por el circuito, será utilizando la potencia y analizando a que potencia le corresponde una mayor resistencia, paraasí, calcular la corriente en el circuito.

P= 1/4 [W]=v_max I
I= P/v_max =0.25/5
I=0.05 [A]
V=IR
R= V/I=5/0.05
▭(▭(R=100 [Ω])) P=1[W]=v_max I
I= P/v_max =1/5
I=0.2[A]
V=IR
R= V/I=5/0.2R=25[Ω]

Por lo tanto concluimos que debemos utilizar P=1⁄4 [W] ya que resiste R=100 [Ω], con lo que lógicamente también resistirá los 25[Ω]del otro rango de potencia.
Luego con este valor podemoscalcular la curva V-I, dando valores en el rango de voltaje de entrada, encontrando así las rectas de carga, e intersectando con la curva del diodo, hallaríamos así el punto de trabajo v_q,i_q.Analizando las características del diodo 1N4007 según su datasheet, encontramos que el máximo valor de corriente que puede alcanzar es de 1 A, esto comprobado con el datasheet del diodo de dos fabricantesdistintos.
El voltaje de ruptura del diodo es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha (conducción de la corriente en sentido contrario).
El layoutdel circuito es:


Desarrollo o Diseño #2

Para este caso del diodo zener tenemos que hacer un análisis similar al del diodo anterior, pero si tenemos que darnos cuenta de que ocmo cambia el...