prepa10

Páginas: 3 (648 palabras) Publicado: 20 de enero de 2016

ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
ÁREA DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS


INFORME TRABAJO PREPARATORIO

DISPOSITIVOS ELECTRONICOSPráctica #: _10_ Tema: : Transistor de Efecto de Campo.
Realizado por:

Alumno (s): Loaiza Edison Grupo:



(Espacio Reservado)
Fecha de entrega: 2016__ /01__ / _22 f. ______________________
año mes día Recibido por:
Sanción: ________________________________________________

Semestre: Sep - Feb __x__
Mar -Ago _____ 2016




LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
PRÁCTICA No.10

TEMA: Transistor de Efecto de Campo.

OBJETIVO: Analizar e implementar un circuito de polarización JFET. Analizar eimplementar un amplificador usando JFET.

PREPARATORIO:

1. Consultar las principales características de los transistores de efecto de campo y presente un cuadro con las semejanzas y diferencias entreeste tipo de transistores y los de juntura bipolar.

A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET (Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandestipos:
-Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Junction Field Effect Transistor)
-Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor)

TRANSISTORES DE UNIÓN DE EFECTO DE CAMPO. (JFET)
Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de los mismos se controlaba una corriente de colectormayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcionala la tensión aplicada a la entrada. Características generales:
Por el terminal de control no se absorbe corriente.
Una señal muy débil puede controlar el componente
La tensión de control se...
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