Preparatorio2
Páginas: 7 (1534 palabras)
Publicado: 14 de junio de 2015
DEPARTAMENTO DE SISTEMAS ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA I
TRABAJO PREPARATORIO
LABORATORIO No. 2
Tema de la práctica: DIODO EN CORRIENTE CONTINUA.
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1. Consultar sobre:
1. Como identificar los terminales del Diodo.
En la parte de arriba de esta ilustración aparece el símbolo general utilizado para identificar un diodo semiconductor común y abajo el aspecto físico externoque presentan la mayoría de los diodos de silicio. Como se puede observar en ambas ilustraciones, el ánodo “A” constituye la parte positiva y el cátodo “K” la negativa. En un diodo real, el extremo correspondiente al cátodo se identifica por medio de una marca o anillo color plata impreso junto al terminal negativo de conexión al circuito eléctrico.
En un circuito eléctrico, si el lado positivo dela fuente de voltaje está conectado al extremo positivo del diodo (el ánodo) y el lado negativo está conectado al extremo negativo del diodo (el cátodo), el diodo conduce corriente.
Si el diodo está invertido, la corriente está bloqueada (hasta cierto límite).
Otra forma de identificar los terminales de un diodo es utilizando un multímetro, si la conexión es positivo a positivo y negativo anegativo el diodo tendrá muy poca resistencia, si no es así, la resistencia será muy alta.
2. Tipos de Diodos de Unión o Juntura.
Diodos de ruptura
En una juntura PN ideal polarizada en forma inversa la corriente inversa (Is) es prácticamente independiente de la tensión aplicada. En una juntura PN real esto es cierto hasta que se alcanza un valor crítico de tensión (VB), para el cual ocurre elfenómeno de ruptura, y la corriente inversa se incrementa en forma abrupta. Los diodos que trabajan es esta zona son denominados diodos de ruptura. Si bien este fenómeno de ruptura inversa puede ocurrir, básicamente, por dos tipos de mecanismos: efecto Zener y multiplicación por avalancha, a los diodos que operan en dicha región de ruptura se los conoce, genéricamente, como diodos Zener, si bien laruptura por efecto Zener se manifiesta en los diodos que tienen una tensión de ruptura menor a 6V.
Diodo túnel
El diodo túnel es una juntura PN en la cual ambos tipos de semiconductor se encuentran fuertemente dopados (semiconductores degenerados), de modo que el nivel de Fermi EF se encuentra fuera de la banda prohibida (EG).
Celdas solares
Una celda solar es, básicamente, una juntura PN que noestá polarizada y que convierte energía radiante en potencia eléctrica que entrega a una carga.
Diodos de conmutación
Los diodos de conmutación o rápidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con señales de tipo digital o “lógico” que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parámetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperación inverso(TRR) que expresa el tiempo que tarda la unión P-N en desalojar la carga eléctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulación de carga de un condensador), y recibe súbitamente un cambio de tensión que la polariza en sentido directo.
3. Características de los Diodos de Punta de contacto o “De señal”.
Poseen unas propiedades similares a los diodos deunión y la única diferencia es, en todo caso, el sistema de construcción que se ha aplicado.
A diferencia de los diodos semiconductores comunes de silicio (Si), que se fabrican empleando dos cristales de diferente polaridad puestos en contacto uno con otro para formar una unión tipo “p-n”, los diodos de punta de contacto o “de señal” como los de germanio (Ge), por ejemplo, se construyenutilizando un alambre de tungsteno* con una fina punta que hace presión sobre el cristal semiconductor de germanio.
Diodos de “de señal” para alta frecuencia. Arriba.- De.germanio (Ge) de punta de contacto. Abajo.- De silicio (Si)
4. Tipos de encapsulados para los diodos.
En dependencia de la tensión o voltaje que soportan, la intensidad de la corriente de trabajo, la función específica que...
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