Presentacion

Transistor IGBT

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Transistor IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate
Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se
aplica comointerruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente ybajo voltaje
de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para
la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitacióndel IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las características de conducción son como las del BJT.

Símbolo más extendido del IGBT: Gate o

puerta (G), colector (C) y emisor (E).
Los transistoresIGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables
hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia así como en las
aplicaciones en maquinas eléctricas y convertidores de potenciaque nos acompañan cada día y por todas partes, sin
que seamos particularmente conscientes de eso: automóvil, tren, metro, autobús, avión, barco, ascensor,
electrodoméstico, televisión, domótica,Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.

Características
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta
20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Esusado en
aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada,
control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes
módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados enparalelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos
de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido.
Tiene la capacidadde manejo de corriente de un bipolar pero no
Sección de un IGBT.
requiere de la corriente de base para mantenerse en conducción.
Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de la base...