Previ

oRESPUESTA DE ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA SOLA ETAPA
INFORME PREVIO
1.-Definir rbb’, rb’e, rb’c, rce, Cb’e, Cb’c, gm, fB,fT.
rbb’=La resistencia distribuida de la base, se relacionacon el parámetro h, hie, que es la resistencia con la salida en corto. En el modelo hibrido π, esta se denomina a menudo como rπ si se aplica un corto circuito entre el emisor y colector,se obtiene:hie =rπ= rbb’+( rb’e // rb’c)
rb’e=La resistencia de entrada (rπ en el modelo hibrido) se aproxima por medio de la razón: rπ=Vb'eIB
rb’c=Resistencia de retroalimentación.
rce=Resistencia de salidadel transistor.
Cb’e y Cb’c= Son las capacitancias parásitas del transistor. Cb’c es la capacitancia de la unión colector-base a pesar de que es una capacitancia variable, suele considerarseconstante en una región de operación particular del transistor. La capacitancia Cb’e, la cuales capacitor base- emisor. El valor de este capacitor aparece en las hojas de datos como Cib´. Esta capacitanciaes la suma de la capacitancia de difusión del emisor y la capacitancia de la unión del emisor. Debido a que el primer capacitor es el más grande de los dos, Cb’e es aproximadamente iguala lacapacitancia de difusión (conocida también como capacitancia de carga de la base).
gm= Es la relación de la corriente del colector y el voltaje térmico su unidad es Siemens ó 1/π
fB y fT= son frecuenciascaracterísticas, fB es la frecuencia para cuando el factor de ganancia del transistor empieza a variar. fT es la frecuencia máxima de operación del transistor se da cuando la ganancia es igual a cero.2. En el circuito del experimento, de acuerdo al modelo π del transistor en altas frecuencias, encontrar una expresión para fB y fT.

2N2222
12 V
1.5 k
56 k
Vi
12 k
680
10 k
100 μ F
22 μ F22 μ F
1 k

Del circuito mostrado:
Ai = ICIB = -hfe*Ib'eIb'e*(1+jw*rb'e*(Cb'e+Cb'c)
Ai(jw) = -hfe*Ib'eIb'e*(1+jw*rb'e*(Cb'e+Cb'c)
Frecuencia de corte: WB = 1rb'e*(Cb'e+Cb'c)

Ai(jw) =...