Previo 1 Electr Nica De Potencia

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR
DE SAN MARCOS
(Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA)
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA, ELECTRICA Y TELECOMUNICACIONES

EL SCR
CURSO : Electrónica de Potencia I
PROFESOR : Dra. Teresa Núñez Zúñiga
CICLO : IX
ALUMNOS : Medina López Walter 08190139Ciudad Universitaria, Septiembre 2012
CUESTIONARIO

1. Haga una introducción teórica de los SCR.
El  SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn (Figura 2). Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La conducción entre ánodo ycátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es único), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.


Figura 1: Símbolo del  SCR.   Figura 2: Estructura  básica del  SCR.

Este semiconductor que presenta dos estados estables: en uno conduce, y en otro está en corte (bloqueodirecto, bloqueo inverso y conducción directa).
El parámetro principal de los rectificadores controlados es el ángulo de retardo.
Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente sólo durante los semiciclos positivos de la fuente de AC. El semiciclo positivo es el semiciclo en que el ánodo del SCR es más positivo que el cátodo. Esto significa que el SCR no puede estarencendido más de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga.
El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en conducción del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio SCR sehace conductor no sólo cuando la tensión en sus bornes se hace positiva (tensión de ánodo mayor que tensión de cátodo), sino cuando siendo esta tensión positiva, se envía un impulso de cebado a puerta.

2. Indique el modelo equivalente con transistores.
La acción regenerativa o de enganche de vida a la retroalimentación directa se puede demostrar mediante un modelo de SCR de dos transistores. UnSCR se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura.
La corriente del colector IC de un SCR se relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y la corriente de fuga de la unión colector-base ICBO, como
Ic =    IE + ICBO…………………….. (1)
La ganancia de corriente de base común se define como  =IC/IE. Para el transistor Q1 la corriente del emisor es la corriente del ánodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede determinar  a partir de la ecuación (1):
IC1 =   IA +  ICBO1……………….…. (2)
a)  Estructura básica                         b) Circuito equivalente
Fig. Modelo de tiristor de dos terminales.
 
Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga paraQ1.  En forma similar para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es:
IC2 = 2IK + ICBO2………………………… (3)
Donde    2 es la ganancia de corriente y ICBO2  es la corriente de fuga correspondiente a Q2. Al  combinar IC1 e IC2, obtenemos:
IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICBO1 + 2IK + ICBO2………………………. (4)
Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuación anterior en función deIA obtenemos:
IA = 2IG + ICBO1 + ICBO2…………………………. (5)

3. Qué es la tensión de disparo y la corriente de mantenimiento .
Tensión de disparo : Es el voltaje necesario que se aplica a la compuerta para que el SCR entre en conducción. Este impulso debe durar un tiempo suficiente para que se active el dispositivo y la corriente de ánodo alcance hasta un valor denominado corriente de retención...