Probabilida

INFORME DE LABORATORIO #03
TRANSISTORES
UNIVERSIDAD DE LA SALLE
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
ELECTRÓNICA BÁSICA - LABORATORIO
BOGOTÁ
2004
INTRODUCCIÓN
Este informe invita al lector a conocer de una manera concisa el manejo de los transistores como una poderosa herramienta, en el uso electrónico.
Brevemente conoceremos que pasos seguimos estrictamente en la práctica desde que se entróen la sala del laboratorio, hasta el momento en el que se finalizo la práctica.
De una manera secuencial veremos paso a paso como manipulamos los artefactos, con ayuda de ilustraciones. Así se podrá entender de una manera concisa, al tener una ilustración de cada cosa que acontece para tratar de remediar la ausencia de masa al detallar por medio de la descripción en la redacción de estetrabajo.
Por ultimo queda nuestra expectativa hacia el lector de que al mediante la lectura, reciba con agrado lo que hemos plasmado en este informe de laboratorio; como la comprensión sea oportuna en cada línea que cuidadosamente hemos redactado.
OBJETIVOS
 Identificar y manejar diferentes instrumentos de medición.
 Reconocer, identificar los errores en un trabajo.
 Presentar adecuadamenteel informe de un trabajo experimental.
 Analizar los resultados experimentales.
 Conocer las diversas técnicas implementadas en el laboratorio.
 Formar una capacidad de análisis critica, para interpretar de una manera optima los resultados obtenidos, de una forma lógica como analítica.
MARCO TEÓRICO
El transistor esta compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura:

Lazona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es el "Emisor". El Emisor está muy impurificado, la Base tiene una impurificación muy baja, mientras que el Colector posee una impurificación intermedia.
 En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo npn, aunque también podría ser un pnp.
En principio es similar a dos diodos
Un transistor es similar a dosdiodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de colector" (el de la derecha en este caso).
Antes y después de la difusión
Vamos a hacer unestudio del transistor npn, primeramente cuando está sin polarizar (sin pilas y en circuito abierto) se produce una "Difusión" (como un gas en una botella), donde los electrones cruzan de la zona n a la zona p, se difunden, encuentran un hueco y se recombinan. Esto hace que en las uniones entre las zonas n y p se creen iones positivos y negativos.
Esta difusión y recombinación se da hasta llegar alequilibrio, hasta conseguir una barrera de potencial de 0,7 V (para el Si). Se crean 2 z.c.e., una en la unión E-B (WE) y otra en la unión C-B.
Esta configuración es la más utilizada. Como en la configuración en BC solo analizaremos la zona activa.
Como en el caso anterior solo el 1 % se recombina y el 99 % no se recombina. La dirección de IE la cambiamos como en la configuración anterior.Ganancia de corriente bcc:

A veces (casi siempre) se desprecia la IB, por ser muy pequeña, en comparación con la IC.

Si variamos el valor de la pila VBB de la malla de entrada, tomando valores de IB y VBE podemos obtener la característica de (la malla de) entrada.
Como vemos, el la característica del diodo base-emisor, y tiene una forma exponencial.
MATERIALES
1 Transistor 2N 22 22.
1Multímetro.
4 Resistencias. 2.2 K, 1.5 K, 100K, 200K.
1 Protoboard.
1 Fuente.
2 pares de caimanes para la fuente.
1 Cable de Poder.
PROCEDIMIENTO

Después de solicitar el material necesario para realizar la práctica procedimos a armar el circuito que vemos en la figura de la derecha.
El cual consiste principalmente de un transistor 2N 22 22. Este está colocado en el montaje con...