Problemario De Electrónica
1) Si el transistor de silicio empleado en el circuito indicado tiene un valor mínimo de β = hFE de 30, y si ICBO = 10 nA a 25 ºC:(a) Hallar Vo para Vi =12 V y demostrar que Q está en saturación. (b) Hallar el mínimo valor de R1 para que el transistor del apartado a esté en la región activa. (c) Si R1=15 K y Vi = 1 V, hallar Voy demostrar que Q está en corte. 12 V
2,2k iC R1 Vi 15k 100k iE Q + Vo -
-12 V
2) En el circuito indicado, se emplean transistores de silicio con hFE = 100. Despreciar la corriente inversa desaturación. (a) Hallar Vo cuando Vi = 0 V. Suponer que Q1 está cortado y justificar esta suposición. (b) Hallar Vo cuando Vi = 6 V. Suponer que Q2 está cortado y justificar esta suposición.
12 V 4k 1k+ 3k Q1 6k 1k iC Q2 iE + Vo -
2k
Vi
Prof: Antonio Bosnjak Seminario.
Problemario 2
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3) En el circuito indicado, se emplea un fotodiodo 1N77. RL representa la resistencia de labobina de un relé que precisa una corriente de 6 mA para cerrarse. El transistor es de silicio con VBE = 0,7 V y β . (a) Hallar la tensión VD para que actúe el relé.
20 V
VD Q 50k VR
iC
Bobinade relé RL = 2k
4) En el circuito que se muestra en la figura 4, se supone que todas las uniones operan a 0.7 V. Calcule los voltajes en los nodos A, B, C y D si la β de cada dispositivo es (a)infinita, (b) 10.
+10 V 9,3k C 9,3k iC Q B D
+10 V 10k iC Q2 10k 9,3k 10k
iC Q1
10k
A 9,3k
-10 V
Figura 4.
-10 V
Figura 5.
5) Si los dos transistores de la figura (5) seencuentran perfectamente apareados con VBE = 0. 7 V , ¿Cuáles son los voltajes en los colectores de Q1 y de Q2 si (a) β1 = β2 = ∞ , (b) β1 = β2 = 100 . 6) Hallar el valor VBB para saturar el transistor.VCE,sat = 0, 1V VBE ≈ 0, 7 V β = 10
Prof: Antonio Bosnjak Seminario.
Problemario 2
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+10 V 1k
iC Q1
10k VBB 1k
Figura 6. 7) (a) Hallar R1 y R2 de modo que ICQ = 10mA . (Recuérdese...
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