problemas de electronica

Resolver los siguientes problemas:

1. La concentración de electrones en el silicio a T = 300K es no = 5x104/cm3. (a) Determinar la concentración de huecos. (b) ¿Elmaterial es del tipo N o del tipo P? (c) ¿Qué tipo y qué concentración de átomos impuros se debe agregar al silicio intrínseco para formar este semiconductor? Resp: a) po = 4.5x 1015/cm3

2. Considere silicio a T = 300K. La concentración de impurezas dopantes es Nd = 2x1016cm-3. (a) ¿El material es del tipo N o del tipo P? (b) Calcular laconcentración de electrones no y la concentración de huecos po. (c) Si las constantes de movilidad de electrones y huecos son n = 1350 cm2/V.s y p = 480 cm2/V.s, respectivamente,calcular la resistividad del semiconductor. Resp: (b) po = 1.125 x 104/cm3, (c) 0.231 .cm

3. El campo eléctrico aplicado en el silicio tipo P es E = 12V/cm. Laconductividad del semiconductor es  = 2.2 (.cm)-1 y el área de corte seccional es A = 10-4cm2. Determinar la corriente de desplazamiento en el semiconductor. Resp: 2.64 mA

4.Encuentre la resistividad para: a) un material de silicio intrínseco y b) silicio tipo P con NA = 1016/cm3. Utilice ni = 1.5 x 1010/cm3 y asuma que para el silicio intrínsecon = 1350 cm2/V.s y p = 480 cm2/V.s, y para el silicio dopado n = 1110 cm2/V.s y p = 400 cm2/V.s. (Note que el proceso de dopado reduce la mobilidad de portadores).Resp: a) 2.28 x 105 .cm; b) 1.56 .cm

5. La corriente de saturación inversa de un diodo de silicio a T = 295°K es IS = 1.5 x 10-12 A. Determinar el rango de temperatura en °Csobre el cual IS varía de 4.687x10-14A a 1.536x10-9A. Considere que IS se duplica por cada 10 °C de aumento en la temperatura.
Respuesta: -28 ‘C ≤ T(‘C) ≤ 122 ‘C.