Proceso litografico

Litografía y Grabado
Se refieren a los procesos de transferencia de los motivos, que dan lugar al circuito integrado, sobre la oblea del semiconductor.
La litografía es la exposición de motivos através de máscaras convenientemente diseñadas y el Grabado es la eliminación selectiva de óxidos, metales, etc
Estos procesos son los que nos marcan la tecnología en la construcción de C.I., y portanto una avance en estos procesos permite una evolución en la tecnología de integración.
El proceso litográfico consta de los siguientes pasos :
-Una vez generado el óxido del Si, sobre elsemiconductor, colocamos una capa de Fotorresina sobre el óxido.
-Una vez hecho, hacemos pasar luz (UVA), a través de una Máscara, el cual se proyecta sobre la fotorresina.
- La fotorresina ha quedadoimpresionada por la proyección hecha en el proceso anterior. Y la introducimos en un compuesto el cual elimina la zona impresionada (Positivo), o la que no lo está (Negativo).
Oxidación Térmica:
Consiste enel crecimiento de una capa de SiO 2 sobre una superficie de Si a expensas de este.
Hay dos tipos de hacer este óxido, en atmósfera seca O 2 o húmeda (H 20) a una temperatura elevada ( ~1000 ºC)
Laoxidación seca es bastante lenta pero produce un óxido de excelente calidad, que es muy usado en las tecnologías MOS para el óxido de puerta.
La oxidación húmeda es bastante más rápida pero produce unóxido de mucha peor calidad, con porosidades, el cual solo sirve para procesos de enmascaramiento.
Aplicaciones del SiO 2 :
Máscara de protección para procesos de dopado=>Dopados Selectivos.(0.3m m de espesor aproximado)
Óxido de puerta en estructuras MOS
Óxido de Aislamiento en tecnologías LOCOS (Local Oxidation Silicon )
Pasivación eléctrica de superficies
Modelo Elemental del Procesode Oxidación :
La atmósfera oxidante se satura de manera que la concentración de oxidante en la superficie de SiO 2 es la de máxima solubilidad N 0.
El oxidante se difunde a través del SiO 2...