Programa electronica
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA 2007 DIURNO
INGENIERÍA DE TELECOMUNICACIONES SEMESTRE
ASIGNATURA 6to
ELECTRÓNICA I CÓDIGO
HORAS TLC-31225
TEORÍA PRÁCTICA LABORATORIO UNIDADES DE CRÉDITO PRELACIÓN
3 2 3 5 QUF-33013
1.- OBJETIVO GENERAL
Diseñar metódicamente circuitos con dispositivos semiconductores y circuitosamplificadores con transistores BJT y FET.
2.- SINOPSIS DE CONTENIDO
UNIDAD 1: Dispositivos semiconductores de dos terminales (diodos).
UNIDAD 2: Análisis de circuitos con diodos.
UNIDAD 3: Dispositivos semiconductores de tres terminales. (transistores)
UNIDAD 4: Configuraciones básicas de los amplificadores.
UNIDAD 5: Circuitos de polarización para transistores BJT.
UNIDAD 6: Amplificadoresa baja frecuencia y pequeña señal con BJT.
UNIDAD 7: Amplificadores a baja frecuencia y pequeña señal con Fet.
UNIDAD 8: Amplificadores multietapa.
3.- ESTRATEGIAS METODOLÓGÍCAS GENERALES
• Diálogo Didáctico Real: Actividades presenciales (comunidades de aprendizaje), tutoría y actividades electrónicas.
• Diálogo Didáctico Simulado: Actividades de autogestión académica, estudiosindependiente y servicio de apoyo al estudiante.
ESTRATEGIAS DE EVALUACIÓN
La evaluación de los aprendizajes del estudiante y en consecuencia, la aprobación de la asignatura, vendrá dada por la valoración obligatoria de un conjunto de elementos, a los cuales se les asignó un valor porcentual de la calificación final de la asignatura. Se sugieren algunos indicadores y posibles técnicas e instrumentos deevaluación que podrá emplear el docente para tal fin.
• Realización de actividades teórico-prácticas.
• Realización de actividades de campo.
• Aportes de ideas a la Comunidad (información y difusión).
• Experiencias vivenciales en el área profesional
• Realización de pruebas escritas cortas y largas, defensas de trabajos, exposiciones, debates, etc.
• Actividades de Auto-evaluación /co-evaluación y evaluación del estudiante.
OBJETIVOS DE APRENDIZAJE CONTENIDO ESTRATEGIASDE EVALUACIÓN BIBLIOGRAFÍA
Estudiar el efecto de los dispositivos semiconductores de dos terminales en los circuitos eléctricos.
UNIDAD 1: DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE DOS TERMINALES (DIODOS).
1.1 El diodo de unión P-N, característica tensión-corriente y su dependencia con la temperatura.1.2 Resistencia interna del diodo. Capacitancias parásitas de la unión.
1.3 Modelo lineal aproximado del diodo.
1.4 Conceptos de rectas de carga y punto de operación.
1.5 El diodo Zener. El diodo Schottky. El diodo varactor. El diodo túnel.
1.6 El varistor de metal-óxido.
Realización de actividades teórico-prácticas.
Realización de actividades de campo.
Aportes de ideas a laComunidad (información y difusión).
Experiencias vivenciales en el área profesional
Realización de pruebas escritas cortas y largas, defensas de trabajos, exposiciones, debates, etc.
Actividades de Auto-evaluación / co-evaluación y evaluación del estudiante. • Boylestad, Robert y Nashelsky, Louis (2003). Electrónica. Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. Editorial PEARSON Prentice Hall.Octava Edición. México.
• Horestein, Mark. (1997). Microelectrónica. Circuitos y Dispositivos. Editorial Prentice Hall. Segunda Edición. México.
• Malik, Norbert. (2003). Circuitos Electrónicos. Análisis, Simulación y Diseño. Editorial Prentice Hall. Madrid.
• Malvino, Albert. (2007). Principios de Electrónica. Editorial McGraw-Hill Interamericana de España. Septima Edición. España.
•Rashid, Muhamad. (2000). Circuitos Microelectrónicos. Análisis y Diseño. International Thomson Editores. México.
• Savant, Roden y Carpenter. (2000). Diseño Electrónico. Editorial Prentice Hall. Tercera Edición
• Schilling-Belove. (2000). Circuitos Electrónicos: Discretos e Integrados. Editorial McGraw-Hill. Tercera Edición. España.
Analizar detalladamente circuitos con diodos.
UNIDAD 2:...
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