Proyecto 1

Act.6 Unidad 2
Deposición física a partir de la fase vapor
Esta técnica esta basada en la formación de un vapor del material que se pretende depositar en capa delgada. Para ello, el material en forma de sólido es sometido bien sea a un proceso de calentamiento hasta la evaporación (evaporación térmica) o bien se 'pulveriza' mediante un bombardeo intenso con partículas cargadas en forma de iones(bombardeo catódico o 'sputtering'). En este último caso, los iones proceden de una descarga eléctrica entre dos electrodos en forma de plasma, utilizando un gas generalmente inerte (argón). También es posible bombardear la muestra con un haz de iones procedentes de una fuente externa de iones. Esta última técnica permite variar la energía y la intensidad de los iones que alcanzan la superficiedel material a depositar.
Alternativamente, es posible utilizar la fuente de iones para bombardear directamente la superficie del substrato durante el proceso de evaporación, con objeto impartir mas energía a los átomos evaporados y mejorar con ello las propiedades de la capa depositada (adherencia, densidad, etc.). Esta técnica, denominada 'deposición asistida mediante haces de iones' o IBAD estátambién disponible en el laboratorio y ha sido utilizada convenientemente para depositar capas de carbono (DLC) y de compuestos binarios y ternarios de la familia carbono-boro-nitrogeno.

Act.7 Unidad 2
La Deposición Química de Vapor o CVD (de sus siglas en inglés Chemical Vapor Deposition) es un proceso químico utilizado para producir productos de alta pureza y de alto rendimiento de materialessólidos. El proceso se utiliza a menudo en la industria de semiconductores para producir películas delgadas. En un proceso CVD estandar el sustrato (oblea) se expone a uno o más precursores volátiles, que reaccionan o se descomponen en la superficie del sustrato para producir el depósito deseado. Con frecuencia, también se producen subproductos volátiles, que son eliminados por medio de un flujo degas que pasa a través de la cámara de reacción.
Los procesos de microfabricación CVD se emplean ampliamente para depositar materiales en diversas formas, incluyendo: monocristalino, policristalino, amorfo, y epitaxial. Estos materiales incluyen: silicio, fibra de carbono, nanofibras de carbono, filamentos, nanotubos de carbono, SiO2, silicio-germanio, tungsteno, carburo de silicio, nitruro desilicio, oxinitruro de silicio, nitruro de titanio, y diversos dieléctricos de alta k. El proceso de CVD se utiliza también para producir diamantes sintéticos.
Algunos metales (significativamente el aluminio y el cobre ) rara vez, o nunca, se depositan mediante CVD. En 2010 no existía, un proceso CVD comercialmente viables para el cobre, a pesar de que se habían probado formiato de cobre, cobre (HFAC)2, Cu (II) acetoacetato de etilo, y otros precursores. La deposición de cobre metálico se realiza principalmente por galvanoplastia, con el fin de reducir coste. El aluminio puede ser depositado a partir de tri- isobutil aluminio (TIBAL), tri etilo / aluminio de metilo (TEA, TMA), o hidruro de dimetilaluminio (DMAH), pero generalmente se prefieren los métodos de deposición física de vapor.
Sinembargo, los procesos de CVD se utilizan ampliamente con el molibdeno, tantalio, titanio, níquel, wolframio. Estos metales pueden formar útiles siliciuros cuando se depositan sobre el silicio. Mo, Ta y Ti se depositan por LPCVD, desde sus pentacloratos. Níquel, molibdeno y wolframio se pueden depositar a bajas temperaturas de sus precursores de carbonilo. En general, para un metal arbitrario M, lareacción es como sigue:
2 MCI5 + 5 H2 → 2 + 10 M HCl
La fuente habitual de wolframio es el hexafluoruro de wolframio, que puede ser depositado de dos formas:
WF6 → W + 3 H2
WF6 + 3 H2 → W + 6 HF






Act.8 Unidad 2
Como es el proceso de recubrimientos organicos y a que sustratos se aplica
Los Recubrimientos Orgánicos se utilizan como revestimiento superficial o de acabado a base de polímeros...