Proyecto

SC Analizador de 2005
Probador de dispositivos semiconductores
Casi todos los circuitos electrónicos contienen transistores bipolares, FET y diodos. La mayoría de los aficionados a la electrónica tienen un suministro de dichos componentes retirados de los circuitos de edad. Un probador de que se puede utilizar para resolver los conductores y medir las características es, pues, una herramientamuy útil.
Si todavía se pueden leer las marcas en el dispositivo, usualmente es posible buscar sus características técnicas en un libro de datos. Pero si las marcas son vagas o completamente falta, sólo puede adivinar. Utilizando este probador particularmente práctico, usted puede identificar rápidamente los tipos más utilizados de dispositivos semiconductores (transistores bipolares, JFETs,MOSFET y diodos), incluidos los componentes de DME. Además de la identificación de los clientes potenciales, el verificador calcula varios parámetros, tales como HFE para los transistores bipolares, VTH, IDSS y RDSON para JFETs, el voltaje de umbral para MOSFET y la corriente directa / voltaje y la corriente de diodos de fuga. Toda esta información se muestra claramente en una pantalla de cristallíquido (compatible).
Principio de funcionamiento
Cada uno de los tres cables del dispositivo desconocido está conectado a tierra o + 5 V a través de resistencias con valores de conocimientos. Pueden utilizarse los siguientes valores de resistencia: 100 Ω, 1 kΩ, kΩ 5,6 y kΩ 100. Para cada configuración, tres voltajes se miden mediante un microcontrolador PIC16F876.
El microcontrolador comienzasiempre con una medición rápida, bruto para determinar si el dispositivo es un transistor bipolar. Esto se hace mediante la conexión de dos de los cables de tres transistor a tierra mientras que la tercera iniciativa es conectada a + 5 V a través de una resistencia de 5,6-kΩ. El microcontrolador mide la tensión a través de la resistencia y almacena el valor medido. Dos mediciones más de este tipo serealizan con plomo diferentes secuencias, con cada medida que se están realizando en el cruce de la resistencia de 5,6-kΩ y el transistor. Ello produce tres valores que tienen una relación específica para el tipo de transistor.
La tabla 1 muestra los valores que teóricamente deberían medirse para NPN y transistores PNP. Aquí el signo corresponde a una conexión a tierra a través de una resistenciade 100 Ω, y el signo representa una conexión a + 5 V a través de una resistencia de 5,6-kΩ. Un transistor NPN da dos valores de aproximadamente 5 V y uno de aproximadamente 0,7 V, mientras que un transistor PNP proporciona un valor único de 5 V y dos valores de 0,7 V. La primera prueba también es suficiente para identificar la base principal del transistor, ya que es el primer cuyo valor difierede los valores de los otros dos cables.
Una vez que ha identificado el transistor de esta manera, está probado para ganancia de corriente. Como no se conocen las posiciones del emisor y el colector, se mide la ganancia de corriente para cada una de las dos combinaciones posibles. El valor final es llevado a ser el mayor de los dos valores medidos.
Si los voltajes medidos no coinciden conninguna de las combinaciones en el cuadro 1, el dispositivo es sometido a pruebas especiales para otros tipos de componentes (MOSFET, diodo y JFET). Para comprobar si el dispositivo es un MOSFET, la ganancia de corriente se mide de manera similar para los seis de los arreglos de plomo posible. Sin embargo, algunos de los transistores bipolares también resultados que difieren de los que se muestran enla tabla 1. Esto ocurre principalmente con transistores de tener un diodo de protección entre el colector y el emisor. Para tales transistores, la ganancia de corriente también se mide por los seis de los posibles acuerdos.

Limitaciones

Para evitar posibles malentendidos, debemos decir desde el principio que el 2005 de SC Analyser no puede utilizarse para medir la thryistors o...