Proyectos De Electronica

ASIGNATURA: ELECTRÓNICA ANALÓGICA


PRÁCTICA #6: “ENCENDIDO DE UN MOSFET”


























INTRODUCCIÓN

Aunque existen algunas similitudes en laconstrucción y en el modo de operación entre los MOSFET de tipo de adelgazamiento y de tipo de enriquecimiento. El de tipo de enriquecimiento la ecuación no está definida por la ecuación de shockley y lacorriente de drenaje ahora está en corte hasta que el voltaje compuerta-fuente alcanza su magnitud especifica. En la general el control de corriente de un dispositivo de canal n ahora resulta afectadopor un voltaje compuerta-fuente positivo en lugar de por rango de voltajes negativos encontrados para los JFETs de canal n y los MOSFET de adelgazamiento.
La construcción básica del MOSFET deenriquecimiento es un bloque de material tipo p que se forma en una base de silicio a la que se le denomina sustrato .las terminales de la fuente y de drenaje se conectan por medio de contactosmetálicos entre las regiones dopadas-n. Esta es la principal diferencia entre la construcción de los MOSFETs de adelgazamiento y de ensanchamiento: la ausencia de un canal como un componente construido deldispositivo.

Si VGS se establece en 0V y se aplica un voltaje entre el drenaje y la fuente del dispositivo, la usencia de un canal n dará como resultado una corriente de 0 ameres efectivo. No essuficiente tener acumulados una gran cantidad de portadores en el drenaje y la fuente si no existe un camino entre los 2. Si VDS tiene cierto voltaje positivo, VGS es 0V y la terminal SS se conectadirectamente a la fuente, existirá de hecho dos uniones p-n con una polarización inversa entre las regiones dopadas-n y el sustrato-p para oponerse a cualquier flujo significativo entre el drenaje yla fuente. Podemos observar esto en la figura 5.34











MATERIAL:
1MOSFET IRF840
(o similar)
Resistencias

EQUIPO:


1 osciloscopio
1 milímetro
1 fuente de alimentación...