Prueba

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DIODOS SHOCKLEY

Es determinado como un dispositivo de 2 terminales Ánodo y cátodo que manejados estados: el primero (Bloqueo- Mucha Impedancia- OFF) y el segundo (Conducción – Menor Impedancia - ON); este maneja cuatro capas semiconductoras que forman una estructura NPNP; en conclusión sufunción es la de un interruptor.

Estructura | Simbolo |
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Este dispositivo fue creado por el señor William Bradford Shockley (Físico, nacido en estados unidos de américa), él trabajaba enlaboratorios bell hasta 1955 cuando decidió crear su propia empresa llamada Shockley Semiconductors Laboratory con el apoyo económico del señor Arnold Beckman (Empresario propietario de BeckmanInstruments), este descubrimiento comienzan en los años 1955 donde conocieron los diodos de cuatro capas que lo denominaron “diodos Shockley” y en el 1958 se le otorgo la patente US2855524; todo esteproceso se realizo en compañía de John Bardeen y Walter Houser Brattain.
El diodo Shockley esta abierto cuando el voltaje directo es aplicado donde superar un valor, entonces este se cierra y allí se dala conducción, esta conducción se alarga hasta que la corriente alcanza un valor bajo al especifico.
Mas profundamente cuando inyectamos voltaje positivo entre ánodo – cátodo el empalme j1 y j3 sepolariza directamente y el empalme j2 se polariza inversamente; aquí la corriente que circula es muy baja y el elemento entra en un estado cortado; Pero cuando se aumenta la inyección de voltajepositivo, llegamos a un voltaje de ruptura/avalancha VBO donde la corriente aumenta de forma decreciente y la caída de voltaje de igual forma.

Los diodos de cuatro capas maneja dos zonas la directa y lainversa, la primera el voltaje debe ser mayor que cero y la segunda debe ser menor que cero; cada una de estas maneja unas regiones de acción con sus respectivas formas de funcionar.
Regiones de...