Psicologia

Transistores de Efecto de Campo
El transistor de efecto de campo o simplemente FET (Field-EffectTransistor) es un dispositivo semiconductor de tres terminales muy empleado en
circuitos digitales yanalógicos. Existen dos tipos de dispositivos MOSFET y JFET
(Metal-Oxide-Semiconductor y Junction FET)
Los Fet tienen la particularidad de ser de fabricación más simple y de
ocupar menos espacioque los BJT. Se pueden encontrar chips de hasta 100.000
MOSFET en sus interior. Otra ventaja que tienen los MOSFET es que los
resistores y condensadores se suplir con dispositivos MOS, por lo que lafabricación de circuitos integrados con ésta tecnología se ha difundido tanto.
Especialmente para sistemas integrados de muy gran escala (VLSI). Los JFET
tienen la característica de tener muy altaresistencia de entrada y muy bajo ruido
por lo que se los emplea en procesamineto de señales.
A diferencia del BJT tratado en la clase anterior el FET basa su
funcionamiento en la aplicación deun campo eléctrico para gobernar el paso de la
corriente eléctrica. De esta manera el FET funciona como una fuente de corriente
con tensión controlada.
Básicamente se lo puede considerar formado porun canal semiconductor
dopado con alguna impureza, a los extremos de ese canal se depositan sendos
conductores a los que se les aplicará un a diferencia de potencial que acelera los
electrones enun sentido determinado. A por sobre y por debajo del canal se
deposita un material semiconductor de distinto tipo que el del canal y a éstos se
les adosa un conductor para polarizar la unión desemiconductores en inversa.
En la siguiente figura vemos este diseño para un canal tipo n con el
nombre de los terminales y el símbolo electrónico del mismo.
Transistor de efecto de campo
Eltransistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la...