Puente H Transistores
Páginas: 18 (4319 palabras)
Publicado: 3 de diciembre de 2012
TSU en Mecatrónica
“Proyecto Final”
Dispositivos Analógicos
M.C. Iván Alcalá Barojas
Ricardo Bahena Román
Jesús López Sotelo
Jaknael Rodríguez Delabra
4° A
30/11/2012
Índice:
Marco Teórico 3
Transistor de Unión Bipolar 3
Introducción 3
Estructura 3
Funcionamiento 4
Control de tensión, carga y corriente 5
El Alfa y Beta del transistor 5
Transistor Tipo NPN 6Transistor Tipo PNP 6
Regiones Operativas del Transistor 7
Motor de Corriente Directa 8
Introducción 8
Principio de Funcionamiento 9
Fuerza Contraelectromotriz Inducida en un Motor 9
Número de escobillas 9
Sentido de giro 9
Reversibilidad 9
Puente H 11
Introducción 11
Aplicaciones 11
Montaje 12
Lógica de Control 12
Diagrama de Bloques 15
Bibliografías y Referencias 15Bibliografías 16
Referencias 16
Marco Teórico
Transistor de Unión Bipolar
Introducción
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe aque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunquetambién en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
* Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe aque esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
* Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
* Colector, de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidospor el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.
Figura 1 – Empaquetado TO-92. El más común para los transistores BJT.
Estructura
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductorasdopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
Figura 2 - Corte transversal simplificado de un transistor de unión bipolarNPN. Donde se puede apreciar como la unión base-colector es mucho más amplia que la base-emisor.
La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser colectados,lo que hace que el valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran β.
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a...
“Proyecto Final”
Dispositivos Analógicos
M.C. Iván Alcalá Barojas
Ricardo Bahena Román
Jesús López Sotelo
Jaknael Rodríguez Delabra
4° A
30/11/2012
Índice:
Marco Teórico 3
Transistor de Unión Bipolar 3
Introducción 3
Estructura 3
Funcionamiento 4
Control de tensión, carga y corriente 5
El Alfa y Beta del transistor 5
Transistor Tipo NPN 6Transistor Tipo PNP 6
Regiones Operativas del Transistor 7
Motor de Corriente Directa 8
Introducción 8
Principio de Funcionamiento 9
Fuerza Contraelectromotriz Inducida en un Motor 9
Número de escobillas 9
Sentido de giro 9
Reversibilidad 9
Puente H 11
Introducción 11
Aplicaciones 11
Montaje 12
Lógica de Control 12
Diagrama de Bloques 15
Bibliografías y Referencias 15Bibliografías 16
Referencias 16
Marco Teórico
Transistor de Unión Bipolar
Introducción
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe aque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunquetambién en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
* Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe aque esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
* Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
* Colector, de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidospor el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.
Figura 1 – Empaquetado TO-92. El más común para los transistores BJT.
Estructura
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductorasdopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
Figura 2 - Corte transversal simplificado de un transistor de unión bipolarNPN. Donde se puede apreciar como la unión base-colector es mucho más amplia que la base-emisor.
La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser colectados,lo que hace que el valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran β.
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a...
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