Quimica

Instituto Tecnológico Superior De Lerdo
Nombre de la práctica:
Características del diodo de unión

Unidad:
2
Alumnos:
Betancourt Reyes Vicente
García Félix Julio Cesar
Tarín López Rodrigo
Grupo:
4R
Fecha:
14/02/12
Docente:
Rosa María del Carmen Solorio
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| Calificación | |

Materiales
Materiales | Maquinaria y Equipo | Herramientas |
1 resistencia 250Ω a 2w |1 fuente de alimentación dc | 1 multímetro digital |
1 resistencia 1kΩ a 2w | 1 tablilla de protoboard | |
1 diodo de silicio 1N4154 | | |
1 diodo de germanio 1N34A | | |
1 LED | | |
1 interruptor 1 polo 1 tiro | | |

Marco Teórico
Por si mismo un cristal semiconductor de tipo n tiene la misma utilidad que una resistencia de carbón; lo que también se puede decir de unsemiconductor tipo p. Pero ocurre algo nuevo cuando se dopa un cristal de tal manera que una mitad sea de tipo p y la otra de tipo n.
La separación o frontera física entre un semiconductor tipo n y uno tipo p se llamara unión pn. La unión pn tiene propiedades tan útiles que ha propiciado toda clase de inventos, entre los cuales se encuentran los diodos, los transistores y los circuitos integrados.
Lazona de deplexión
Es la zona sin portadores cercana a la union vacia, cada pareja de iones positivos y negativos en la union se llama dipolo. La creacion de un dipolo hace que desaparezca un electron libre y un hueco.
Barrera de Potencial
El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada barrera de potencial. A 25° C la barrera de potencial esaproximadamente de 0.3 V para diodos de germanio y 0.7 V para diodos de silicio.
Polarización Directa
Una fuente de continua conectada a un diodo. El terminal
negativo de la fuente esta conectado al material tipo n,
y el terminal positivo al material tipo p. esta conexión se
llama polarización directa.

Polarización Inversa
Si se invierte la polaridad dela fuente de continua,
entonces el diodo quedará polarizado en inversa. En
este caso, el terminal negativo de la batería se encuentra
conectado al lado p y el terminal positivo lo esta al lado n.
Procedimiento
* Identifica los extremos del ánodo y cátodo de un diodo de silicio y arma el circuito mostrado, estando el diodo en polarización directa ¿Cuál de los extremos del diodo conectaríasmás cerca de la terminal negativa para lograr la polarización directa?
R= El ánodo.

* Ajusta la salida de la fuente de cd variable de manera que el voltaje en el diodo (VAK) mida 0.7 V. mide y anota en la tabla 3.1, la corriente del diodo (ID). ¿Cuál sería la corriente del diodo si éste estuviera invertido?
R= 0 A.

* Invierte el diodo y mide ID. Anota tus resultados en la tabla 3.1,los resultados deben confirmar lo contestado en la pregunta del punto 3.
* Mide VAK con el diodo en polarización inversa. Anota la lectura en la tabla 3.1. calcula y anota la resistencia del diodo (VAK dividido entre ID) para configuraciones de un diodo con polarización directa y con polarización inversa.

* Quita el diodo del circuito y mide su resistencia. Invierte las puntas deconexión y mide de nuevo la resistencia del diodo. Dado que la batería del medidor empleado para medir la resistencia tiene una polaridad, las puntas de prueba del medidor también estarán polarizadas. Anota ambas lecturas en la tabla 1.1 en donde corresponda.

Paso | VAK | ID | Resistencia del Diodo |
2 | 0.4 V | 44.64 µA | 462 kΩ |
4, 5 | 1.77V | 0 | 35.6 MΩ |
6 | XXXXXX | XXXXXX | Directa:29.5kΩInversa: 20 kΩ |

* Cambia la posición del diodo en el circuito de manera que tenga polarización directa, ajusta la fuente de cd variable de acuerdo con los valores VAK que se muestran en la tabla 3.2. Mide y anota la corriente ID para cada valor de VAK.
* Invierte la posición del diodo de manera que tenga polarización inversa, de nuevo fija la fuente de cd variable de acuerdo con...