Quimica

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Resumen
Diodo IMPATT es una abreviación por su significado en inglés (IMpact Avalanche and Transit Time diode) o Diodo de Impacto de Avalancha y de Transito de Tiempo. Cualquier dispositivo que demuestra resistencia dinámica negativa para la corriente directa también lo hará para corriente alterna. Cuando un voltaje alterno es aplicado, la corriente va a incrementar cuando elvoltaje disminuya. Por lo tanto, resistencia negativa puede ser definida como la propiedad del dispositivo la cual causa que la corriente a través de este fuera de fase en con el voltaje a través de este mismo. Diodos IMPATT utilizan una combinación de retardo envuelto en generar una multiplicación de corriente de avalancha, junto con un retardo debido al tránsito de tiempo a través de un espaciode agrupamiento para así proveer la fase de necesaria entre el voltaje aplicado y la corriente resultante
1. Definición

Un diodo IMPATT es una forma de diodo de alta potencia utilizado en la electrónica de alta frecuencia y dispositivos de microondas. Ellos funcionan a frecuencias entre aproximadamente 3 y 100 GHz o más. Estos diodos se utilizan en una variedad de aplicaciones de los sistemasde radar de baja potencia a las alarmas. Un gran inconveniente de la utilización de diodos IMPATT es el alto nivel de ruido de fase que generan. Esto es consecuencia de la naturaleza estadística del proceso de avalancha. Sin embargo, estos diodos son excelentes generadores de microondas para muchas aplicaciones.
Como cualquier otro diodo, un IMPATT tiene una característica relativamente estándarIV. En la dirección de avance se llevará a cabo después de que se ha alcanzado el punto de conducción directa. En el sentido inverso, se bloqueará actual.
Sin embargo, en un cierto voltaje del diodo se descompone y la corriente fluirá en la dirección inversa.
En términos de su funcionamiento el diodo IMPATT puede considerarse que consta de dos zonas, a saber, la región de avalancha o región deinyección, y en segundo lugar la región de deriva.
Estas dos áreas ofrecen diferentes funciones. La región de avalancha o inyección crea los portadores que pueden ser o bien orificios de electrones, y la región de deriva es donde los portadores se mueven a través del diodo de tomar una cierta cantidad de tiempo depende de su grosor.











1.1. Descubrimiento y desarrollo
Laidea original para el diodo fue presentada por Shockley en 1954. Pensó en la idea de crear resistencia negativa mediante un mecanismo de retardo de tiempo de tránsito. El método de la inyección de los portadores era una unión P-N de polarización directa. Publicó esto en la Campana Sistemas Technical Journal en 1954 en un artículo titulado: "resistencia negativa derivada de tiempo de tránsito endiodos semiconductores.
Sin embargo, no fue hasta 1958 que WT Lee de los laboratorios Bell propuso la p + n + ni estructura de diodos que más tarde se llamó la lectura de diodos. Este diodo utiliza la multiplicación de avalancha como el mecanismo de inyección. De nuevo, esto fue publicado en la Campana Sistemas Technical Journal en 1958 bajo el título: Una alta frecuencia propuesta, diodo deresistencia negativa.
Aunque el mecanismo de inyección y el diodo se habían postulado, no fue hasta 1965 que se hicieron los primeros diodos operativos prácticos que activar las oscilaciones debe ser respetado.
1.2. Fundamentos IMPATT
En muchos aspectos, el diodo IMPATT es un diodo inusual en que es capaz de proporcionar señales de alta potencia de RF a frecuencias de microondas utilizando unaestructura que no está tan lejos diferente de la unión P-N básica. Sin embargo se ha desarrollado para permitir su diferente modo de operación para ser utilizado adecuadamente.
Teoría y funcionamiento: El diodo IMPATT se basa en un efecto de resistencia negativa causada por el tiempo de tránsito de los transportistas. Esta resistencia negativa permite el diodo para actuar como un oscilador, la...