Química Investigación

Este trabajo dará a conocer principalmente sobre el silicio, los materiales que se derivan de él (especialmente chips y celdas solares), sólidos no estequiométricos, el dopaje, explicar en que consiste la catálisis y la fotocatálisis, definir y señalar las características de aisladores, conductores y semiconductores y señalar en que consiste la nanotecnología.
Liceo Santa MartaQuímica
Trabajo de Investigación

Introducción

En este trabajo Compartiremos temas pertenecientes a la actualidad, mostrando que son los chips y las celdas solares dando a compartir su estructura, funcionamiento y características. Acompañando a los chips queremos dar a conocer la nanotecnología de la cual tanto se habla hoy en día, definir esta nueva tecnología,mostrar la importancia que tiene, los tipos que existen, las proyecciones que está logrando, mostrar además sus propiedades y aplicaciones.
Entre otros temas más pequeños que también mostraremos se encuentran:
* Sólidos Estequiométricos
* Dopaje
* Catálisis
* Fotocatálisis
* Aisladores
* Conductores
* Semiconductores
Con el fin de averiguar y aprender más de ellos, ycomo estos afectan la vida humana. Pues estos, en la actualidad, y gracias al desarrollo de la tecnología nos han abierto muchas puertas para el desarrollo de la sociedad.

Sólidos no Estequiométricos y Dopaje
L
os compuestos no estequiométricos o bertólidos son un tipo de compuestos químicos en los cuales los elementos que lo forman no mantienen proporciones simples y enteras, ósea que losátomos no se encuentran en relación de números enteros simples, sino que mixtas y variables. Al contrario con lo que pasa con los compuestos estequiométricos o daltónidos que sí tienen proporciones de números enteros simples y cumplen con la ley de las proporciones definida de Proust.
Se podría decir que los compuestos no estequiométricos son compuestos defectuosos por así decirlo, ya que estos sepueden formar por la adición de impurezas, a un cristal que con anterioridad si era perfecto. Un claro ejemplo de cuando pueden ocurrir estos defectos es a una disolución sólida que este en una fase cristalina donde pueden tener una composición variable ya sea por:
1. Sustitución: Donde el átomo o ion que se introduce reemplaza a un átomo o ion del mismo tipo de carga en el material anfitrión.2. Intersticial: Cuando las especies introducidas ocupan huecos intersticiales en la red del material anfitrión.
Este comportamiento no estequiométrico, se manifiesta ampliamente sobre todo en los óxidos de los metales de transición, aunque también se conoce para algunos lantánidos y actínidos.

E
n la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregarimpurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.
Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado que actúa más como un conductor que como un semiconductor esllamado degenerado.
El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeño. Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10.000 átomos) entonces se dice que el dopaje es altoo pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.

Tipo N
Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas que permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsénico y...