rectadecargatransistor
Páginas: 2 (300 palabras)
Publicado: 28 de julio de 2014
1.4 Representación del punto de trabajo con la recta en carga estática
En la figura 1.8.b se muestra la representación gráfica del punto de trabajo Q del transistor, especificadoa través de tres parámetros:ICQ, IBQ y la VCEQ.
Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominadarecta de carga estática: si Q se encuentra en el límite superiorde la recta el transistor estará saturado, en el límite inferior en corte y enlos puntos intermedios en la región lineal.
Esta recta se obtiene a través de la ecuacióndel circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas características deltransistor de la figura 1.8.b, corresponde a una recta.
La tercera ecuación de (1.17) definela recta de carga obtenida al aplicar KVL al circuito de polarización, de forma que
Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se seleccionados puntos: a) VCE=0, entonces IC=VCC/RC; b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura1.8.b y representan los cortes de la recta de carga estática conlos ejes de coordenadas.
Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarización de un transistor es seleccionar la situación del punto Q. La selección más práctica essituarle en la mitad de la recta de carga estática para que la corriente de colector sea la mitad de su valor máximo, condición conocida como excursión máxima simétrica.
Evidentementeesta es una condición de diseño que asegurará el máximo margen del punto Q a incrementos de cualquier signo de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones deoperación del transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En estos casos la situación del punto Q estará definida por las diferentes restricciones.
En la figura 1.8.b se muestra la representación gráfica del punto de trabajo Q del transistor, especificadoa través de tres parámetros:ICQ, IBQ y la VCEQ.
Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominadarecta de carga estática: si Q se encuentra en el límite superiorde la recta el transistor estará saturado, en el límite inferior en corte y enlos puntos intermedios en la región lineal.
Esta recta se obtiene a través de la ecuacióndel circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas características deltransistor de la figura 1.8.b, corresponde a una recta.
La tercera ecuación de (1.17) definela recta de carga obtenida al aplicar KVL al circuito de polarización, de forma que
Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se seleccionados puntos: a) VCE=0, entonces IC=VCC/RC; b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura1.8.b y representan los cortes de la recta de carga estática conlos ejes de coordenadas.
Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarización de un transistor es seleccionar la situación del punto Q. La selección más práctica essituarle en la mitad de la recta de carga estática para que la corriente de colector sea la mitad de su valor máximo, condición conocida como excursión máxima simétrica.
Evidentementeesta es una condición de diseño que asegurará el máximo margen del punto Q a incrementos de cualquier signo de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones deoperación del transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En estos casos la situación del punto Q estará definida por las diferentes restricciones.
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.