resistencias semiconductoras

2° PRACTICA DE LABORATORIO

TÍTULO: RESISTENCIAS SEMICONDUCTORAS
OBJETIVOS:
Mostar al estudiante las características no lineales de las resistencias semiconductoras.
Determinar las curvas características de un termistor NTC y Fotorresistencia LDR.


PROCEDIMIENTO:
A. CURVA CARACTERÍSTICA DE UN TERMISTOR NTC

Construir el circuito de la Figura 1

R = 90.9 Ω
V(v)
0
2
46
8
10
12
VT(v)
2.033
1.995
1.961
1.980
1.810
1.77
1.832
VR(v)
2.962
2.998
3.036
3.017
3.170
3.20
3.16
RT(Ω)
61.61
60.45
59.42
57.3
51.71
50.57
50.4






B. CURVA CARACTERÍSTICA DE UNA FOTORRESISTENCIA LDR
Construir el circuito de la Figura 2

R = 0.985 Ω
V(v)
0
2
4
6
8
10
12
VT(v)
2.320
2.362
2.234
1.382
0.672
0.590
0.580
VR(v)
2.804
2,7922.762
3.729
4.220
4.350
4.434
RT(Ω)
0.812
0.803
0.797
0.365
0.157
0.134
0.129











CUESTIONARIO:

1. Con los datos obtenidos en la Tabla 1 y Tabla 2.
Graficar en papel milimetrado: RT vs V



Graficar en papel milimetrado: RL vs V

2. Explicar la variación de la resistencia del filamento conductor, en el foquito incandescente. Hacer lo mismo con RT y RL(semiconductores)
La variación de la resistencia del filamento conductor, aumenta su resistencia al aumentar su temperatura, ya q se está utilizando un foco incandescente se utiliza un filamento con una resistencia muy elevada que está al vacío dentro del vidrio.
En la resistencia RT (resistencia del termistor NTC); ya que es una resistencia térmicas sensible, su variación de su resistenciavaria con la temperatura, en el caso del circuito se utilizó un foco de 12v y cuando se lo aproximaba su resistencia variaba y viceversa.
En la resistencia RL (resistencia del LDR); la resistencia del RDL varía según la intensidad de luz que llega hacia ella; es decir cuando se realizaba la práctica se podía observar que su resistencia aumentaba cuando había luz y disminuía cuando había luz (alacercar y alejar el foco de 12v).


3. Enumerar las resistencias semiconductoras y sus aplicaciones en electrónica.
Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor

La mayor o menor conductividad eléctrica que pueden presentar los materiales semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistenciaal paso de la corriente también aumenta, disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad también aumenta. 

En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los siguientes métodos:
Elevación de su temperatura
Introducción de impurezas (dopaje) dentro de suestructura cristalina
Incrementando la iluminación.
Con relación a este último punto, algunos tipos de semiconductores, como las resistencias dependientes de la luz (LDR – Light-dependant resistors), varían su conductividad de acuerdo con la cantidad de luz que reciben.
Resistencia dependiente de la luz (LDR), conocida también como fotorresistor o célula fotoeléctrica. Posee la característicade disminuir el valor de su resistencia interna cuando la intensidad de luz que incide sobre la superficie de la celda aumenta. Como material o elemento semiconductor utiliza el sulfuro de cadmio (CdS) y su principal aplicación es en el encendido y apagado automático del alumbrado público en las calles de las ciudades, cuando disminuye la luz solar.

En dependencia de cómo varíen los factores delos puntos más arriba expuestos, los materiales semiconductores se comportarán como conductores o como aislantes.

Semiconductores intrínsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura...