Resoluciones Tira 4 Transistor TBJ

Problema 4.11
En un transistor se efectúan las mediciones de señal (c.a.) en las condiciones que muestran los
circuitos de las figuras 1 y 2.
El capacitor “C” es losuficientemente grande como para considerarlo un cortocircuito a la
frecuencia de medición.
Se pide calcular los parámetros “h” para los valores de tensión ycorriente de base y colector
indicados en esas mediciones.

Figura 1

Figura 2

Operando con las ecuaciones del modelo de parámetros “h”:

vi  hie .ii  hre .vo
i0  h fe.ii  hoe .vo

v
hie  i
io
i
h fe  o
ii


vo  0


vo  0

*
* *

2,15 103
1,8 106
180 106
1,8 106

Es posible definir cada parámetro.

 1194,44 Valores tomados del circuito de la FIGURA 2 donde v O =0.

 100

Lo mismo que para el caso anterior.

v  hie .ii 2,3 10 3  1194,44 . 2 106

 2,584 10- 4
De laecuación (*): hre  i
vo
 0,344 
En este caso se utiliza el circuito de la FIGURA 1 debido a que las ecuaciones corresponden al
transistor conectado en el modoactivo.
De la ecuación (**):

hoe 

io  h fe .ii
vo



172 106  100.2 106
 81,4 106  A / V 
 0,344

Otra forma de resolver, teniendo h fe y siendo

h fe
 hfe  1  100  1
ic 172

 86 y como Gi 
 hoe  
 1.

 1.
 81,4 106 1 / 
Gi
R
2
1  hoe .RL
86
2000
ib


 L 
h fe .RL
0,344
v
 149,56 de aquíse despeja
y siendo: Gv  o  
 149,56 y además Gv 
0,0023
vi
hie   h .RL
Gi 

h y como h =h ie .h oe - h re .h fe se despeja h re

Problema 4.1

bProblema 4.11
Ecuaciones de los
Parametros Híbridos

Problema 4.12

Problema 4,2

Problema 4.3

Problema 4.4

Problema 4.5

Problema 4.6