Resumen Libro Organizacion Y Arquitectura De Computadoras
Páginas: 7 (1733 palabras)
Publicado: 3 de enero de 2013
RESUMEN DEL CAPITULO 5
Memoria Interna
Memoria Principal Semiconductora
El uso de chips semiconductores para la memoria principal ha remplazado casi completamente alas denominadas memorias de núcleo gracias al desarrollo de la microelectrónica.
Organización
Elemento básico: celda de memoria. Propiedades:
• 2 estados estables, 1 y 0 binarios.
• Permite escritura para fijar su estado.• Permite lectura para detectar su estado.
Funcionamiento de una celda de memoria
La celda consta comúnmente de tres terminales:
• Selección: selecciona la celda para realizar operaciones de lectura o escritura.
• Control: indica si se trata de lectura o de escritura.
• Para la escritura, proporciona la señal que fija el estado de la celda a 1 o a 0. En lectura, se utiliza como salidadelestado de la celda.
De las memorias de acceso aleatorio la más común es la memoria RAM (Memoria de Acceso Aleatorio), en la que sepermite leer y escribir nuevos datos rápidamente por medio de señales eléctricas. La RAM es volátil, es decir que siinterrumpe la alimentación se pierden los datos, es de almacenamiento temporal. Las dos formas tradicionales de RAM son:
RAM Dinámica (DRAM): Usacargas eléctricas de condensadores para almacenar datos, la presencia o ausenciade carga indica un 1 o un 0 binarios. Requiere refrescos periódicos debido a la descarga de los condensadores.Tendencia a perder carga incluso manteniendo encendida la alimentación. La línea de direcciones se activacuando se va a leer o a escribir el valor del bit de la celda. El transistor trabaja como un conmutador quese abrey cierra dependiendo de la aplicación de tensión.
Para escritura se aplica un valor de tensión a la línea de bit, un valor alto es 1 y uno bajo es 0, así se aplica una señal a línea de direcciones transfiriendo carga al condensador.Para lectura al seleccionar la línea de direcciones el transistor entra en conducción, la carga pasa a la línea bit y aun amplificador de lectura quecompara la tensión del condensador con un valor default y determina si la celdatiene un 1 o un 0. La lectura descarga el condensador y deberá restablecerse para finalizar la operación
RAM Estática (SRAM): es un dispositivo digital en el que los valores binarios se almacenan utilizandoconfiguraciones
flip-flops. Sus datos se mantendrán mientras no se interrumpa la alimentación. No esnecesariorefrescar los datos como en la DRAM. La línea de direcciones cierra o abre un conmutador y controla dos transistores. Al aplicar una señal a esta línea los transistores entran en conducción permitiendo escritura y lectura.
Dram Sdram
Volatil Volatil
Simple y pequeña Costosa
Densa Rapida
Memorias grandes Memoria cache
Memoria principal
Tipos de ROM
ROM: Memoria de solo lectura. No volátil.Aplicaciones:
• Microprogramación.
• Subrutinas de biblioteca para funciones de uso frecuente.
• Programas del sistema.
• Tablas de funciones.
Los datos estarán siempre en memoria principal y nunca será necesario cargarlos desde un dispositivo secundario.Problemas de la construcción de ROM como circuitos integrados con datos cableados:
• Insertar los datos resulta muy costoso, no importasi es en una o muchas ROM.
• Si se falla en la inserción un bit se perderá la totalidad del conjunto de chips.
Para mayor comodidad y flexibilidad en la escritura permanente se usan las PROM, las cuales son memorias como las ROM pero con un método de escritura electrónico o programable.
Memorias de sobre-todo lectura: usan más la operación de lectura que la de escritura. No volátiles.
•EPROM: es una PROM borrable. Se puede sobrescribir repetidamente la totalidad de los datos mediante el borrado por radiación ultravioleta en el chip. Es una PROM con la posibilidad de actualizarse muchas veces pero más costosa.
• EEPROM: es una PROM borrable eléctricamente. Se escribe en ella sin borrar el contenido anterior, solo seactualiza el byte(s) seleccionado(s). Se tarda más la...
Memoria Interna
Memoria Principal Semiconductora
El uso de chips semiconductores para la memoria principal ha remplazado casi completamente alas denominadas memorias de núcleo gracias al desarrollo de la microelectrónica.
Organización
Elemento básico: celda de memoria. Propiedades:
• 2 estados estables, 1 y 0 binarios.
• Permite escritura para fijar su estado.• Permite lectura para detectar su estado.
Funcionamiento de una celda de memoria
La celda consta comúnmente de tres terminales:
• Selección: selecciona la celda para realizar operaciones de lectura o escritura.
• Control: indica si se trata de lectura o de escritura.
• Para la escritura, proporciona la señal que fija el estado de la celda a 1 o a 0. En lectura, se utiliza como salidadelestado de la celda.
De las memorias de acceso aleatorio la más común es la memoria RAM (Memoria de Acceso Aleatorio), en la que sepermite leer y escribir nuevos datos rápidamente por medio de señales eléctricas. La RAM es volátil, es decir que siinterrumpe la alimentación se pierden los datos, es de almacenamiento temporal. Las dos formas tradicionales de RAM son:
RAM Dinámica (DRAM): Usacargas eléctricas de condensadores para almacenar datos, la presencia o ausenciade carga indica un 1 o un 0 binarios. Requiere refrescos periódicos debido a la descarga de los condensadores.Tendencia a perder carga incluso manteniendo encendida la alimentación. La línea de direcciones se activacuando se va a leer o a escribir el valor del bit de la celda. El transistor trabaja como un conmutador quese abrey cierra dependiendo de la aplicación de tensión.
Para escritura se aplica un valor de tensión a la línea de bit, un valor alto es 1 y uno bajo es 0, así se aplica una señal a línea de direcciones transfiriendo carga al condensador.Para lectura al seleccionar la línea de direcciones el transistor entra en conducción, la carga pasa a la línea bit y aun amplificador de lectura quecompara la tensión del condensador con un valor default y determina si la celdatiene un 1 o un 0. La lectura descarga el condensador y deberá restablecerse para finalizar la operación
RAM Estática (SRAM): es un dispositivo digital en el que los valores binarios se almacenan utilizandoconfiguraciones
flip-flops. Sus datos se mantendrán mientras no se interrumpa la alimentación. No esnecesariorefrescar los datos como en la DRAM. La línea de direcciones cierra o abre un conmutador y controla dos transistores. Al aplicar una señal a esta línea los transistores entran en conducción permitiendo escritura y lectura.
Dram Sdram
Volatil Volatil
Simple y pequeña Costosa
Densa Rapida
Memorias grandes Memoria cache
Memoria principal
Tipos de ROM
ROM: Memoria de solo lectura. No volátil.Aplicaciones:
• Microprogramación.
• Subrutinas de biblioteca para funciones de uso frecuente.
• Programas del sistema.
• Tablas de funciones.
Los datos estarán siempre en memoria principal y nunca será necesario cargarlos desde un dispositivo secundario.Problemas de la construcción de ROM como circuitos integrados con datos cableados:
• Insertar los datos resulta muy costoso, no importasi es en una o muchas ROM.
• Si se falla en la inserción un bit se perderá la totalidad del conjunto de chips.
Para mayor comodidad y flexibilidad en la escritura permanente se usan las PROM, las cuales son memorias como las ROM pero con un método de escritura electrónico o programable.
Memorias de sobre-todo lectura: usan más la operación de lectura que la de escritura. No volátiles.
•EPROM: es una PROM borrable. Se puede sobrescribir repetidamente la totalidad de los datos mediante el borrado por radiación ultravioleta en el chip. Es una PROM con la posibilidad de actualizarse muchas veces pero más costosa.
• EEPROM: es una PROM borrable eléctricamente. Se escribe en ella sin borrar el contenido anterior, solo seactualiza el byte(s) seleccionado(s). Se tarda más la...
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