Resumen modulacion

Introducción
Actualmente la mayoría de las personas involucradas en el desarrollo de proyectos
electrónicos conocen la importancia del uso de simuladores en el diseño y optimización decircuitos electrónicos. La posibilidad de probar los dispositivos y los circuitos, bajo condiciones
virtualmente reales, incrementa las probabilidades de éxito de los proyectos y reduce el costo deproducción de los mismos. Hoy por hoy, existen en el mercado diferentes simuladores
electrónicos disponibles, sin embargo todos ellos basan su funcionamiento en modelos
matemáticos que describen elcomportamiento de los diferentes dispositivos. Un aspecto
fundamental para el modelado y que ha sido poco atendida en los libros de texto, tiene que ver
con las técnicas de extracción de losparámetros utilizados en los modelos (García Sánchez,
Ortiz-Conde, De Mercato, & Juin J., 2000). Por ejemplo, en el caso de los transistores MOSFET,
las referencias técnicas normalmente abordan losprincipios de operación de los dispositivos,
modelos matemáticos que describen el comportamiento eléctrico del dispositivo, la definición de
ciertos parámetros como el voltaje de umbral y lasecuaciones que integran el modelo, así como
circuitos de aplicación y ejemplos de simulaciones, pero no se le pone interés a los procedimiento
que permiten, a partir de una medición experimental, laobtención de los parámetros del modelo.
Materiales y Métodos
La figura 1, muestra la sección transversal de un transistor de efecto de campo con
estructura metal-óxido-semiconductor (MOSFET) canal N.Estos dispositivos basan su
funcionamiento en la capacidad de controlar, mediante el voltaje aplicado a la terminal de
compuerta, la concentración y el tipo de portadores en la regiónsemiconductora cercana a la 2
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interfaz óxido/semiconductor (Dosi Konstantinov, 2003). Para explicar su funcionamiento,
consideraremos que inicialmente el transistor se encuentra “apagado”, es...