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DÉCIMA EDICIÓN

Electrónica: teoría de
circuitos y dispositivos
electrónicos
BOYLESTAD • NASHELSKY

BOYLESTAD
NASHELSKY

DÉCIMA EDICIÓN

• Diodos semiconductores
• Transistores de unión bipolar
• Polarización de CD de los BJT
• Análisis de ca de un BJT
• Transistores de efecto de campo
• Polarización de los FET

• Amplificadores operacionales
•Amplificadores de potencia
• Circuitos integrados analógicos digitales
• Realimentación y circuitos osciladores
• Fuentes de alimentación (reguladores de voltaje)
• Dispositivos pnpn y de otros tipos

También se amplió y actualizó la cobertura de los siguientes temas clave:
• Amplificadores operacionales
• Circuitos integrados digitales
• Estructuras de circuito integrado

• FET
• BJT
• LEDElectrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, décima edición, contiene estas importantes
características:
• Un acercamiento a los sistemas que hará del lector un adepto de la aplicación de sistemas encapsulados
• Énfasis en la solución de fallas, útil para una completa comprensión de situaciones reales
• Aplicaciones prácticas que se resuelven mediante el uso de PSpice® y Multisim®
•Extensos conjuntos de problemas y ejemplos actualizados para reforzar los conceptos básicos
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Electrónica: teoría de circuitos
y dispositivos electrónicos

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Electrónica:
teoría de circuitos
y dispositivos
electrónicos

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DÉCIMA
EDICIÓN
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Prentice Hall

ROBERT L. BOYLESTAD
LOUIS NASHELSKY

570 RESPUESTA EN
FRECUENCIA DE
LOSBJT Y LOS JFET

9.9

CAPACITANCIA DE EFECTO MILLER

●

En la región de alta frecuencia, los elementos capacitivos de importancia son las capacitancias
entre electrodos (entre terminales) internas al dispositivo activo y la capacitancia de alambrado entre los cables de conexión de la red. Todos los grandes capacitores de la red que controlaban
la respuesta en baja frecuencia fueron reemplazados porsu equivalente de cortocircuito debido
a sus muy bajos niveles de reactancia.
Para amplificadores inversores (desfasamiento de 180° entre la salida y la entrada, que produce un valor negativo de Av), la capacitancia de entrada y salida se incrementa en un nivel de
capacitancia sensible a la capacitancia entre electrodos entre las terminales de entrada y salida
del dispositivo y la ganancia delamplificador. En la figura 9.49, esta capacitancia de “realimentación” está definida por Cf.
Cf

؉

؉

Vi

Vo

؊

؊

FIG. 9.49
Red empleada en la derivación de una ecuación para
la capacitancia de entrada de efecto Miller.

Al aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff obtenemos

Ii = I1 + I2
Utilizando la ley de Ohm el resultado es

Vi
Vi
, I1 =
Zi
Ri
Vi - AvVi
(1 - Av)Vi
Vi - Vo
I2 =
=
=
XCf
XCf
XCfIi =

y

Sustituyendo, obtenemos

(1 - Av)Vi
Vi
Vi
=
+
Zi
Ri
XCf
y
pero

1
1
1
=
+
Zi
Ri
XCf >(1 - Av)

XCf

=

1
= XCM
v (1 - Av)Cf
v

1 - Av

CM
y

1
1
1
=
+
Zi
Ri
XCM

y así se establece la red equivalente de la figura 9.50. El resultado es una impedancia de entrada equivalente al amplificador de la figura 9.49 que incluye la misma Ri que manejamos en capítulos anteriores, agregando uncapacitor de realimentación aumentado por la ganancia del amplificador. Cualquier capacitancia entre electrodos en las terminales de entrada al amplificador
simplemente se agregará en paralelo con los elementos de la figura 9.50.
En general, la capacitancia de entrada de efecto Miller se define como

CMi = (1 - Av)Cf

(9.43)

CAPACITANCIA DE 571
EFECTO MILLER

Ii

+
Vi

Zi

CM = (1 − Aυ ) Cf

Ri

–...