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Transistor IGBT





Nombre: Ney Huichamil
Curso: 3-CProfesor: Álvaro Canario
Fecha: 1/07/2013




Introducción

Durante mucho se tiempo se busco laforma de obtener un dispositivo que tuviera una alta impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a altas velocidades, esto dio lugar a la creación de los Transistores bipolarde puerta aislada (IGBT). Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces y se describirán más adelante.Estructura

El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son controlados por un metal-óxido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una acciónregenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder de la construcción, excepto la n se sustituye con un drenaje+ p + capa de colector, formando una línea vertical del transistor de unión bipolar de PNP.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo conla capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solodispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. En la figura II se observa la estructura interna de un IGBT, elmismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C)
Funcionamiento
. Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente de colector...