salida a terreno

FUNDACION PARA LA EDUCACION SUPERIOR SAN MATEO
FACULTAD DE INGENIERIAS Y AFINES
ELECTRÓNICA ANÁLOGA
2012 - 1

TRABAJO # 1
NOMBRE: DIEGO FERNANDO ARAGON GARCIA
TEMA: Semiconductores.
FECHAENVIO: 19 de febrero 2012.
FECHA DE ENTREGA: 22 de febrero 2012. Enviarlo vía e-mail antes de la hora
de clase.
1. La atracción que experimenta hacia el núcleo electrón de valencia de un Átomo
decobre es
a) Ninguna
b) Débil
c) Fuerte
d) Imposible de describir
2. El semiconductor más empleado es
a) Cobre
c) Silicio
b) Germanio d) Ninguno de los anteriores
3. Los Átomos de silicio secombinan en una estructura ordenada que recibe el
nombre de
a) Enlace covalente
b) Cristal
c) Semiconductor
d) Orbital de valencia
4. Un semiconductor intrínseco presenta algunos huecos atemperatura ambiente
causados por
a) El dopaje
b) Electrones libres
c) Energía térmica
d) Electrones de valencia
5. Cada electrón de valencia en un semiconductor intrínseco establece un
a) Enlacecovalente c) Hueco
b) Electrón libre
d) Recombinación.
6. A temperatura ambiente un cristal de silicio intrínseco se comporta como
a) Una batería
c) Un aislante

FUNDACION PARA LA EDUCACION SUPERIORSAN MATEO
FACULTAD DE INGENIERIAS Y AFINES
ELECTRÓNICA ANÁLOGA
2012 - 1

b) Un conductor

d) Un hilo de cobre

7. ¿Cuántos huecos presenta un conductor?
a) Muchos
b) Ninguno
c) Sólo losproducidos por la energía térmica
d) El mismo número que de electrones libres
8. En un semiconductor intrínseco, el número de electrones libres es
a) Igual al número de huecos
b) Mayor que el númerode huecos
c) Menor que el número de huecos
d) Ninguna de las anteriores
9. A temperatura ambiente un semiconductor intrínseco tiene
a) Algunos electrones libres y huecos
b) Muchos huecos
c)Muchos electrones libres
d) Ningún hueco
10. El número de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrínseco
aumenta cuando la temperatura
a) Disminuye
b) Aumenta
c) Se mantiene...