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LABORATORIO DE ELECTRONICA II









SERGIO ANDRES BLANCO PINTO










UNIDADES TECNOLOGICAS DE SANTANDER
TECNOLOGIA EN ELECTRONICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA IIBUCARAMANGA
2013
LABORATORIO DE ELECTRONICA II




SERGIO ANDRES BLANCO PINTO





PRACTICA 10: DISEÑO Y CARACTERISTICAS DEL FET




PROFESOR: LUIS ELIECER HERNANDEZ MERCHANUNIDADES TECNOLOGICAS DE SANTANDER
TECNOLOGIA EN ELECTRONICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA II
BUCARAMANGA
2013
OBEJTIVO:
Adquirir los conocimientos necesarios sobre el transistor de efecto decampo. E identificarlo por sus características y funcionamiento para diseñar un amplificador en la configuración de surtidor común.
FINALIDADES:
Identificar los terminales del FET con el cual va atrabajar.
-Determinar las características de un Drenador de un FET.
-Determinar el efecto de la tensión de polarización puerta-surtidor VGS sobre ID.
-Diseñar y montar un circuito amplificador conFET dado unos parámetros.
-Hallar su ganancia de voltaje y medir sus puntos de trabajo.
-Analizar el comportamiento de un FET comparándolo con un transistor bipolar.
-Diseñar un amplificador enla configuración de surtidor común con resistencia de compensación y hacer los puntos del anterior.
-Diseñar un amplificador en la configuración de Drenador común y graduador común y repetirlos pasos anteriores para el primer diseño.





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MATERIALES Y EQUIPOS REQUERIDOS
-Osciloscopio.
1 FET K44 ò 2N5452 o K33 òcualquier
-Generador de Audio.
FET que tenga un gm=3 ó 4mS.-Generador de Audio.
1 Resistencia de 100Ω, 10MΩ.
-Fuente d.C.
2 Resistencias de 1KΩ
-V:O:M...