Semiconductores BJT

Caracter´
ısticas de algunos dispositivos
semiconductores de potencia
Transistores BJT
M.C. Geovanny Giorgana
Unimayab

19 de febrero de 2013

Transistores bipolares
Un transistor bipolartiene tres terminales, colector, emisor y base.
En un transistor bipolar encontramos dos uniones: la uni´n
o
colector-base (CBJ) y la uni´n base-emisor (BEJ).
o

(a) Transistor NPN

(b)Transistor PNP

Figura 1: Transistores bipolares.

Modos de operaci´n de un BJT
o

Modo
Corte
Activa
Saturaci´n
o

Uni´n
o
emisor-base
Inversa
Directa
Directa

Uni´n
o
colector baseInversa
Inversa
Directa

Cuadro 1: Modos de operaci´n de un BJT.
o

Figura 2: Transistor NPN en modo de corte.

Figura 3: Transistor NPN en modo activo.

Figura 4: Transistor NPN en modode saturaci´n.
o

Configuraci´n de emisor com´n
o
u
La configuraci´n de emisor com´n para un transistor NPN es la
o
u
m´s empleada en aplicaciones de conmutaci´n.
a
o
La fig. 5b ilustra suscaracter´
ısticas de salida.

(a) Circuito

(b) Curva VCE vs IC

Figura 5: Configuraci´n de emisor com´n para un transistor NPN.
o
u

En la fig. 6 vemos que si IB = 0, entonces VCE = VCC .Conforme IB aumenta de 0 a IB (sat) , VCE disminuye
significativamente.
Para valores de IB mayores a IB (sat) , los cambios en VCE son
despreciables.

Figura 6: Curva IB vs VCE .

Modelo de untransistor NPN a gran se˜al
n

Figura 7: Modelo de transistores NPN.

Para un transistor NPN operando a cd a gran se˜al:
n
IE = IC + IB

(1)

Por otra parte, la corriente de colector tienedos componentes:
IC = βIB + ICEO

(2)

donde ICEO es la corriente de fuga de colector a emisor, con la
base con circuito abierto.
En realidad, βIB
como

ICEO , por lo que la ec. (2) se puedeexpresar

IC = βIB .

(3)

β es la ganancia de corriente de emisor com´n, y se puede definir
u
como la relaci´n de IC entre IB :
o
β=

IC
IB

(4)

Combinando la ec. (1) con la ec....