Semiconductores Electronica
Páginas: 4 (793 palabras)
Publicado: 13 de mayo de 2012
Ministerio de Educación
Instituto Técnico Don Bosco
DISPPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
GABRIEL GARCIA
12° ELECTROMECÁNICA
PROFESORES
PROF. Arundel Hall
MARTES 3 DE ABRIL DE 2012Un SBS o Interruptor Bilateral de Silicio
Es un tiristor del tipo bidireccional, que está compuesto por dos tiristores unidireccionales o SUS conectados en antiparalelo. Al igual que los tiristores UJT, PUT ySUS, el SBS es utilizado en circuitos osciladores de relajación para el control de disparo de dispositivos que entregan potencia eléctrica a una carga, como los SCR y los TRIAC; la diferencia consisteen que pueden dispararse tanto en el semiciclo positivo como en el negativo de una fuente de voltaje de corriente alterna, debido a que pueden polarizarse directa e inversamente.
DIMER
El PUT(Transistor Uniunión programable) es un dispositivo que, a diferencia del transistor bipolar común que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas.
El PUT tiene 3 terminales como otros transistores ysus nombres son: cátodo K, ánodo A, puerta G.
A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parámetros de conduccióndel PUT son controlados por la terminal G
Este transistor tiene dos estados: Uno de conducción (hay corriente entre A y K y la caída de voltaje es pequeña) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muypequeña.
Este transistor se polariza de la siguiente manera:
Cuando IG = 0,
VG = VBB * [RB2 / (RB1+RB2)]
VG = n x VBB
Donde: n = RB2 / (RB1+RB2)
La principal diferencia entre lostransistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias están en el exterior y pueden modificarse.
Aunque el UJT y el PUT sonsimilares, El Ip es más débil que en el UJT y la tensión mínima de funcionamiento es menor en el PUT
ROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES. SVS
SVS: Silicon Surge Voltage Supressor:
Hace el...
Instituto Técnico Don Bosco
DISPPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
GABRIEL GARCIA
12° ELECTROMECÁNICA
PROFESORES
PROF. Arundel Hall
MARTES 3 DE ABRIL DE 2012Un SBS o Interruptor Bilateral de Silicio
Es un tiristor del tipo bidireccional, que está compuesto por dos tiristores unidireccionales o SUS conectados en antiparalelo. Al igual que los tiristores UJT, PUT ySUS, el SBS es utilizado en circuitos osciladores de relajación para el control de disparo de dispositivos que entregan potencia eléctrica a una carga, como los SCR y los TRIAC; la diferencia consisteen que pueden dispararse tanto en el semiciclo positivo como en el negativo de una fuente de voltaje de corriente alterna, debido a que pueden polarizarse directa e inversamente.
DIMER
El PUT(Transistor Uniunión programable) es un dispositivo que, a diferencia del transistor bipolar común que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas.
El PUT tiene 3 terminales como otros transistores ysus nombres son: cátodo K, ánodo A, puerta G.
A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parámetros de conduccióndel PUT son controlados por la terminal G
Este transistor tiene dos estados: Uno de conducción (hay corriente entre A y K y la caída de voltaje es pequeña) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muypequeña.
Este transistor se polariza de la siguiente manera:
Cuando IG = 0,
VG = VBB * [RB2 / (RB1+RB2)]
VG = n x VBB
Donde: n = RB2 / (RB1+RB2)
La principal diferencia entre lostransistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias están en el exterior y pueden modificarse.
Aunque el UJT y el PUT sonsimilares, El Ip es más débil que en el UJT y la tensión mínima de funcionamiento es menor en el PUT
ROTECCIÓN CONTRA SOBRETENSIONES. SVS
SVS: Silicon Surge Voltage Supressor:
Hace el...
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