semiconductores
Páginas: 2 (427 palabras)
Publicado: 1 de febrero de 2014
OTROS SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA
El transistor Bipolar de Puerta Aislada
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Este dispositivo aparece en los años 80
Mezcla características de untransistor bipolar y de un MOSFET
La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por
tensión y no por corriente
EL IGBT DE POTENCIA
C
MOSFET
Bipolar
G
E
Alta capacidad demanejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)
Menor capacidad de conmutación (Bipolar)
No tiene diodo parásito
Estructura del IGBT
Es similar a la de un MOSFET
Sólo sediferencia en que se añade un sustrato P bajo el sustrato N
EL IGBT DE POTENCIA
Es el dispositivo más adecuado para tensiones > 1000 V
El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
En los valoresintermedios depende de la aplicación, de la frec.,etc.
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:
• Bajo ciclo de trabajo
• Baja frecuencia (< 20 kHz)
• Aplicaciones de alta tensión(>1000 V)
• Alta potencia (>5 kW)
EL IGBT DE POTENCIA
Aplicaciones típicas del IGBT
• Control de motores
• Sistemas de alimentación ininterrumpida
• Sistemas de soldadura
• Iluminación debaja frecuencia (
35 mA
35 mA
70 mA
35 mA
IH <
30 mA
30 mA
30 mA
30 mA
IL <
40 mA
60 mA
60 mA
40 mA
IH Corriente de mantenimiento
IL Corriente deenclavamiento
+
TRIAC
Ejemplo
Nivel de
comparación
RL (Carga)
C
Comp. con
Histéresis
VG
R
VRL
α
TIRISTORES
α: ángulo de disparo
Controlando el ángulo de
disparo secontrola la
potencia que se le da a RL
A este tipo de control se
le llama control de fase
VComp
VG
DIAC
No es un interruptor
Una vez disparado se comporta como un diodo
Cuando sucorriente pasa por cero, se apaga
Para dispararlo hay que sobrepasar una tensión característica VDIAC
que suele ser de 30 V.
Es totalmente simétrico
IT12
T1
T2
TIRISTORES
- 30 V
30 V...
DE POTENCIA
El transistor Bipolar de Puerta Aislada
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Este dispositivo aparece en los años 80
Mezcla características de untransistor bipolar y de un MOSFET
La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por
tensión y no por corriente
EL IGBT DE POTENCIA
C
MOSFET
Bipolar
G
E
Alta capacidad demanejar corriente (como un bipolar)
Facilidad de manejo (MOSFET)
Menor capacidad de conmutación (Bipolar)
No tiene diodo parásito
Estructura del IGBT
Es similar a la de un MOSFET
Sólo sediferencia en que se añade un sustrato P bajo el sustrato N
EL IGBT DE POTENCIA
Es el dispositivo más adecuado para tensiones > 1000 V
El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
En los valoresintermedios depende de la aplicación, de la frec.,etc.
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:
• Bajo ciclo de trabajo
• Baja frecuencia (< 20 kHz)
• Aplicaciones de alta tensión(>1000 V)
• Alta potencia (>5 kW)
EL IGBT DE POTENCIA
Aplicaciones típicas del IGBT
• Control de motores
• Sistemas de alimentación ininterrumpida
• Sistemas de soldadura
• Iluminación debaja frecuencia (
35 mA
35 mA
70 mA
35 mA
IH <
30 mA
30 mA
30 mA
30 mA
IL <
40 mA
60 mA
60 mA
40 mA
IH Corriente de mantenimiento
IL Corriente deenclavamiento
+
TRIAC
Ejemplo
Nivel de
comparación
RL (Carga)
C
Comp. con
Histéresis
VG
R
VRL
α
TIRISTORES
α: ángulo de disparo
Controlando el ángulo de
disparo secontrola la
potencia que se le da a RL
A este tipo de control se
le llama control de fase
VComp
VG
DIAC
No es un interruptor
Una vez disparado se comporta como un diodo
Cuando sucorriente pasa por cero, se apaga
Para dispararlo hay que sobrepasar una tensión característica VDIAC
que suele ser de 30 V.
Es totalmente simétrico
IT12
T1
T2
TIRISTORES
- 30 V
30 V...
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