Semiconductores

Universidad Nacional San Luis Gonzaga de Ica
FACULTADA DE INGIENERIA MECANICA ELECTRICA
ESCUELA ACADEMICA PROFESIONAL DE INGIENERIA ELECTRONICA

SIMULACION DE LABORATORIO DE DISPOSITIVOSELECTRONICOS
“DIODOS SEMICONDUCTORES”

I.-Instrumentos y componentes

Fuente de energía de 0 a 20 Vcd Fuente de energía de 12.6 Vca
Voltímetro cd y ca Ohmímetro
Amperímetro 0-10 mA cdOsciloscopio
Diodo de silicio 1N4004 (data sheet) R=270ohm, 2w
R=1K ohm, 1/2W circuitMaker 2000

II. – PROCEDIMIENTO
Un dispositivo semiconductor no puede soportar una sobrecarga de corriente,cuando esto sucede, el diodo quedara dañado permanentemente. Generalmente se sigue el procedimiento para determinar si un diodo esta en un buen estado y constituye una demostración practica depolarización inversa y directa usando una fuente de potencial que se tiene un Ohmímetro.
Coloque el Ohmímetro en la escala Rx100.el terminal comun del ohmimetrodebe tener polaridad negativa.
Conecte elOhmímetro al diodo en la condición de polarización directa y mida su resistencia en sentido directo

R directa= en diodo ideal 477.1k en diodo 1N4004 es 268.4k resistencia baja

R inversa= en didoideal 8.389MOhm en dido 1N4004 es 8.367MOhm resistencia demasiado alta

II.-construya el circuito de la figura 1. Asegúrese que observa la polaridad adecuada en el amperímetro y en el diodo. U elOhmímetro debe ser conectado al terminal negativo de la fuente de energía

III.- partiendo de cero aumente la tensión de la fuente (Es) hasta que el miliamperímetro indique 1mA; anote la tensión de lafuente en la tabla y haga lo mismo para cada uno de los valores de If que aparecen en la tabla anotados las Es obtenidas.

If |1 |2 |3 |4 |5 |6 |7 |8 |9 |10 |mA | |Es |0.583 |0.614 |0.632 |0.645 |0.656|0.664 |0.671 |0.677 |0.682 |0.687 |v | |

IV.-

V.- vuelva la tensión de la fuente a cero e invierta las conexiones del diodo de silicio. Aumente la tensión de la fuente=20V ¿Cuál es la...