Semiconductores

Unión PN (el diodo)
Para comprender la conducción de
corrientes en los semiconductores,
debemos entender primero como
funciona la unión P-N, es decir la unión
de un semiconductor tipo P dondehay
huecos libres y un semiconductor tipo N
donde hay electrones libres.

Polarización directa

Polarización inversa

Material de tipo N

Semiconductor tipo P

Silicio puro o"intrínseco"
Los cristales de Silicio están formados a nivel atómico por una
malla cristalina basada en enlaces covalentes que se
producen gracias a los 4 electrones de valencia del átomo
de Silicio. Juntocon esto existe otro concepto que cabe
mencionar: el de hueco. Los huecos, como su nombre
indica, son el lugar que deja un electrón cuando deja la
capa de valencia y se convierte en un electrónlibre. Esto
es lo que se conoce como pares electrón - hueco y su
generación se debe a la temperatura (como una aplicación,
al caso, de las leyes de la termodinámica) o a la luz (efectofotoeléctrico). En un semiconductor puro (intrínseco) se
cumple que, a temperatura constante, el número de huecos
es igual al de electrones libres.

Silicio "extrínseco" tipo "P"
Un Semiconductor tipo P seobtiene llevando a cabo
un proceso de dopado, sustituyéndole algunos de
los átomos de un semiconductor intrínseco por
átomos con menos electrones de valencia que el
semiconductor anfitrión,normalmente trivalente,
es decir con 3 electrones en la capa de valencia
(normalmente boro), alsemiconductor para poder
aumentar el número de portadores de carga libres
(en este caso positivos, huecos).Silicio "extrínseco" tipocabo un
"N"
 Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a

proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de elemento,
normalmente pentavalente, es decir con 5 electronesen
la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar
el número de portadores de carga libres (en este caso,
negativos, electrones libres).
 Cuando el material dopante es añadido,...