semiconductores

SEMICONDUCTOR
Es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo:
El campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.
Elemento
Grupos
Electrones en
laúltima capa
Cd
12
2 e-
Al, Ga, B, In
13
3 e-
Si, C, Ge
14
4 e-
P, As, Sb
15
5 e-
Se, Te, (S)
16
6 e-
El elemento semiconductor más usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idéntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (Ga, As, P, In, As, Ga, Al, Te, Cd, Se, Cd y S, Cd). Posteriormente se hacomenzado a emplear también el azufre. La característica común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica s²p².
Índice
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1 Tipos de semiconductores
1.1 Semiconductores intrínsecos
1.2 Semiconductores extrínsecos
1.2.1 Semiconductor tipo N
1.2.2 Semiconductor tipo P
2 Véase también
3 Enlaces externos
4 Semiconductores y electrónicaTipos de semiconductores[editar]

Semiconductores intrínsecos[editar]
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetraédrica similar a la delcarbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energía necesaria para saltar ala banda de conduccióndejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones puedencaer, desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción, a un hueco en la banda de valencialiberando energía. A este fenómeno se le denomina recombinación. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece constante. Siendo "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = psiendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 ºC):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.4 1013cm-3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente eléctrica. Si se somete elcristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conducción, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la dirección contraria al campo eléctrico cuyavelocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conducción.
Semiconductores extrínsecos[editar]
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de la estructuracristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio. Hoy en día se han logrado añadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificación del material.
Semiconductor tipo N[editar]
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres...