Semiconductores

República Bolivariana de Venezuela.
Ministerio Del Poder Popular para la Educación
I.U.P. “Santiago Mariño”















Realizado por:

CABIMAS – ZULIA.



Esquema.

1. Definición de Semiconductores
2. Definición de Conductores
3. Definición de Energía Térmica y creación del hueco
4. Definir Impurificación del Diodo
5. Definir de Polarización del Diodo
6.Definir Que es corriente de Hueco
7. Definir el Diodo Zener
8. Definir Diodo
9. Semiconductor tipo P
10. Semiconductor tipo N
11. Semiconductor Recombinación
12. Semiconductor Cristal del Silicio

Desarrollo.
1. Definición de Semiconductores
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campoeléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.
2. Definición de Conductores
Un conductor eléctrico es un material que ofrece poca resistencia al movimiento de carga eléctrica.
3. Definición de Energía Térmica y creación del hueco
La energíatérmica o calorífica es la parte de energía interna de un sistema termodinámico en equilibrio que es proporcional a su temperatura absoluta y se incrementa o disminuye por transferencia de energía, generalmente en forma de calor o trabajo, en procesos termodinámicos. A nivel microscópico y en el marco de la Teoría cinética, es el total de la energía cinética media presente como el resultado de losmovimientos aleatorios de átomos y moléculas o agitación térmica, que desaparecen en el cero absoluto.
Un hueco de electrón, o simplemente hueco, es la ausencia de un electrón en la banda de valencia. Tal banda de valencia estaría normalmente completa sin el "hueco". Una banda de valencia completa (o casi completa) es característica de los aislantes y de los semiconductores. La noción de "hueco"en este caso es esencialmente un modo sencillo y útil para analizar el movimiento de un gran número de electrones, considerando ex profeso a esta ausencia o hueco de electrones como si fuera una partícula elemental o más exactamente una cuasi partícula.
El hueco de electrón tiene valores absolutos de la misma carga que el electrón pero, contrariamente al electrón, su carga es positiva.

4.Definir Impurificación del Diodo
Es decir que el semiconductor de la región P tiene impurezas de tipo aceptadora y de concentración NA y la región N tiene impurezas de tipo donadora ND. A la temperatura ordinaria esas impurezas son ionizadas. Una impureza aceptadora NA da un hueco libre móvil y una impureza donadora ND da un electrón libre móvil.
Después esas impurezas forman iones cargados, fijosen la red, iones negativos en la región P e iones positivos en la región N respecto a la característica de la neutralidad de los semiconductores antes del movimiento de los portadores.

5. Definir de Polarización del Diodo

Polarización Directa de un Diodo:

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente deelectrones a través de la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigenhacia la unión p-n.
El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los...