sensores fotovoltaicos
Páginas: 3 (537 palabras)
Publicado: 12 de abril de 2013
Sensores de Fotovoltaicos
Profesor: Herman García
Alumno: Eduardo Muñoz
Santiago, noviembre 2012
a) Explicar claramente lo quees un material semiconductor tipo P.
Es un material extrínseco, esto quiere decir que ha sufrido el proceso de dopado, que es cuando las características de los materiales semiconductores han sidoalteradas por la adición de ciertos átomos de impureza a un material relativamente puro.
En la figura se puede observar que existe un numero de electrones insuficiente para completar las unionescovalentes de la red cristalina recien formada. A la vacante que resulte se le llama hueco, y está representado por un pequeño circulo o signo positivo debido a la ausencia de una carga negativa. Portanto, la vacante resultante aceptará con facilidad un electrón "libre".
El material resultante tipo p es electricamente neutro.
b) Explicar claramente lo que es un material semiconductor tipo N.
Esun material extrínseco que se crea a través de la introducción de elementos de impureza que poseen 5 electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, arsénico y fósforo.
En la figura sepuede observar que las 4 uniones covalentes aún se encuentran presentes. Sin embargo, existe un 5º electrón adicional debido al átomo de impureza, mismo que se encuentra desasociado de cualquierunión covalente en particular. Este electrón restante, unido débilmente a su átomo (antimonio), se encuentra relativamente libre para moverse dentro del recién formado material tipo n. Debido a que elátomo de impureza insertado ha donado un electrón relativamente "libre" a la estructura.
Aunque un número importante de portadores "libres" se han creado en el material tipo n, este aun es eléctricamenteneutral, debido a que de manera ideal el numero de protones cargados positivamente en los núcleos es todavía igual al número de electrones "libres" cargados negativamente y en órbita en la...
Profesor: Herman García
Alumno: Eduardo Muñoz
Santiago, noviembre 2012
a) Explicar claramente lo quees un material semiconductor tipo P.
Es un material extrínseco, esto quiere decir que ha sufrido el proceso de dopado, que es cuando las características de los materiales semiconductores han sidoalteradas por la adición de ciertos átomos de impureza a un material relativamente puro.
En la figura se puede observar que existe un numero de electrones insuficiente para completar las unionescovalentes de la red cristalina recien formada. A la vacante que resulte se le llama hueco, y está representado por un pequeño circulo o signo positivo debido a la ausencia de una carga negativa. Portanto, la vacante resultante aceptará con facilidad un electrón "libre".
El material resultante tipo p es electricamente neutro.
b) Explicar claramente lo que es un material semiconductor tipo N.
Esun material extrínseco que se crea a través de la introducción de elementos de impureza que poseen 5 electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, arsénico y fósforo.
En la figura sepuede observar que las 4 uniones covalentes aún se encuentran presentes. Sin embargo, existe un 5º electrón adicional debido al átomo de impureza, mismo que se encuentra desasociado de cualquierunión covalente en particular. Este electrón restante, unido débilmente a su átomo (antimonio), se encuentra relativamente libre para moverse dentro del recién formado material tipo n. Debido a que elátomo de impureza insertado ha donado un electrón relativamente "libre" a la estructura.
Aunque un número importante de portadores "libres" se han creado en el material tipo n, este aun es eléctricamenteneutral, debido a que de manera ideal el numero de protones cargados positivamente en los núcleos es todavía igual al número de electrones "libres" cargados negativamente y en órbita en la...
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