simbolos de transistores
Páginas: 2 (288 palabras)
Publicado: 18 de febrero de 2014
Símbolos de tipos de transistores:
Transistores de unión:
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicioo Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, secontaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NPFOTOTRANSISTORES
Fototransistores:
Los fototransistores sonsensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente
Transistores fet:Es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento sólo intervienen los portadores mayoritarios
Transistores de unión FET(JFET):
En ambos tipos de JFET, la corriente ID desalida se controla por medio de un voltaje entre la compuerta y el surtidor.
TRANSISTORES MOSFET
La corriente que fluye por el transistor ingresa por el surtidor (fuente), este la conducepor un sustrato (región tipo p) que es un canal angosto hasta llegar al drenador (tipo n). A la izquierda, hay una compuerta metálica llamada graduador (aislante). Por ser aislante, lacorriente en el graduador es despreciable
Con tres terminales o patillas y sustrato unido a la fuente "S":
De doble puerta:
Con cuatro terminales o patillas:
DARLINGTON:
Eltransistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Está compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada.SCHOTTKY:
La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
Otras variantes de MOSFET:
Transistores de unión:
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicioo Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, secontaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NPFOTOTRANSISTORES
Fototransistores:
Los fototransistores sonsensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente
Transistores fet:Es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento sólo intervienen los portadores mayoritarios
Transistores de unión FET(JFET):
En ambos tipos de JFET, la corriente ID desalida se controla por medio de un voltaje entre la compuerta y el surtidor.
TRANSISTORES MOSFET
La corriente que fluye por el transistor ingresa por el surtidor (fuente), este la conducepor un sustrato (región tipo p) que es un canal angosto hasta llegar al drenador (tipo n). A la izquierda, hay una compuerta metálica llamada graduador (aislante). Por ser aislante, lacorriente en el graduador es despreciable
Con tres terminales o patillas y sustrato unido a la fuente "S":
De doble puerta:
Con cuatro terminales o patillas:
DARLINGTON:
Eltransistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Está compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada.SCHOTTKY:
La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
Otras variantes de MOSFET:
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