Sistema Dina

Antecedentes del diodo:
Los primeros diodos eran válvulas grandes en chips o tubos de vacío, también llamadas válvulas termoiónicas constituidas por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes.
El invento fue realizado en 1904 por John Ambrose Fleming, basándose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison. Al igual quelas lámparas incandescentes, los tubos de vacío tienen un filamento (el cátodo) a través del que circula la corriente, calentándolo por efecto Joule. El filamento está tratado con óxido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vacío circundante; electrones que son conducidos electrostáticamente hacia una placa característica corvada por un muelle doble cargada positivamente (elánodo), produciéndose así la conducción.
Evidentemente, si el cátodo no se calienta, no podrá ceder electrones. Por esa razón los circuitos que utilizaban válvulas de vacío requerían un tiempo para que las válvulas se calentaran antes de poder funcionar y las válvulas se quemaban con mucha facilidad.
Diodo:
Es un dispositivo semiconductor y componente electrónico que permite el paso de lacorriente en un sentido y lo impide en el contrario. Esta provisto de dos terminales, el ánodo (+) y el cátodo (-) y, por lo general conduce la corriente en el sentido ánodo- cátodo.
De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuitocerrado con muy pequeña resistencia eléctrica.
Los diodos se utilizan en la industria moderna para la transformación de corriente alterna en tensión continua. Además se puede estabilizar la tensión y la corriente en la técnica electrónica. Para aspectos ópticos, los diodos de láser son adecuados.

Tipos de Diodos:
* Diodos rectificadores:
Es un diodo de potencia media o alta que seutiliza para rectificar las corrientes alternas.
Este diodo se simboliza de la siguiente forma:




* Diodos de tratamiento de señal (RF):
Estos están destinados a formar parte de etapas moduladoras, demoduladoras, mezcla ylimitación de señales, etc.
Uno de los puntos más críticos en el diodo, al momento de trabajar con media y alta frecuencia, se encuentra en la "capacidad de unión", misma que se debe a que en la zona de la Unión PN se forman dos capas de carga de sentido opuesto que conforman una capacidad real. En los diodos de RF (radio frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea reducida a su mínima expresión,lo cual ayudará a que el diodo conserve todas sus habilidades rectificadoras, incluso cuando trabaje en altas frecuencias.
* Diodo Schottky:
Los diodos schottky están normalmente formados por metales como el platino y silicio, es decir un diodo schottky surge de la unión de un platino, con silicio de tipo n.
Este diodo es el más preparados para lidiar con las altas frecuencias. Este estáformado por un contacto entre un semiconductor y un metal, lo que elimina el almacenamiento de carga y el tiempo de recuperación, además puede rectificar corrientes de frecuencia superior a 300 MHZ y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio que tienen una tensión umbral —valor de la tensión en directa a partir de la cualel diodo conduce— de 0,6 V, los diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V, empleándose, por ejemplo, como protección de descarga de células solares con baterías de plomo ácido.
El símbolo del diodo schottky es:



Curva característica del diodo schottky (diodo de barrera):



* Diodos de...