Sram

SRAM
* Sus flip-flops mantienen el estado siempre que no se quite su alimentación.
* Son de lectura y escritura.
* Uso:
* Aplicaciones en las que se valora la rapidez y la sencillez:
* Memorias caché
* Buffer
* La estructura de una SRAM es la misma que la de una RAM genérica. Se fabrican con tecnología bipolar y CMOS. La bipolar es más rápida, pero laCMOS tiene un consumo mucho menor y permite una mayor densidad de integración, y por tanto una mayor capacidad.
* Actualmente se usa sobre todo la tecnología CMOS.
 
Esquema de un condensador (usado en DRAM) sacado de wikipedia
Tipos de memoria RAM:
* Volátiles:
* SRAM (RAM estática): usa flip-flops (también llamados biestables )

Comparación entre las SRAM y las DRAM
*Desventajas DRAM frente a SRAM
o Operación de refresco de las celdas de memoria.
o Mayor tiempo de acceso.
* Ventajas DRAM frente a SRAM
o Mayor densidad de almacenamiento
o Menor consumo de potencia
* Criterio de utilización SRAM/DRAM
o SRAM
Aplicaciones en las que se valora la rapidez y la sencillez.
o DRAM
Aplicaciones en las que se necesite una elevada capacidad y un bajoconsumo.
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Static Random Access Memory (SRAM) O Memoria Estática de Acceso Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la Memorias DRAM, es capaz de mantener los datos (mientras esté alimentada) sin necesidad de circuito de refresco (no se descargan). Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se lesinterrumpe la alimentación eléctrica.
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Estructura
Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la memoria pueden ser escritas o leídas en cualquier orden, independientemente de cual fuera la última posición de memoria leída o escrita. Cada bit en una SRAM se almacena en cuatro transistores, que forman unbiestable.
Este biestable tendrá dos estados, utilizados para almacenar un 0 o un 1. Se utilizan otros dos transistores adicionales para controlar el acceso al biestable durante las operaciones de lectura y escritura. Una SRAM típica utilizará seis MOSFET para almacenar cada bit.
Adicionalmente, podemos encontrar otros tipos de SRAM, que utilizan ocho, diez, o más transistores por bit. Esto esutilizado para implementar más de un puerto de lectura o escritura en determinados tipos de memoria de video.
Un menor número de transistores por celda, hará posible reducir el tamaño de esta, reduciendo el coste por bit en la fabricación, al poder implementar más celdas en una misma oblea de silicio.
Es posible fabricar celdas que utilicen menos de seis transistores, pero en los casos de trestransistores o un solo transistor estaríamos hablando de memoria DRAM, no SRAM.
El acceso a la celda es controlado por un bus de control (WL en la figura), que controla los dos transistores de acceso M5 y M6, quienes controlan si la celda debe ser conectada a los buses BL y BL. Ambos son utilizados para transmitir datos tanto para las operaciones de lectura como las de escritura, y aunque no esestrictamente necesario disponer de abos buses, se suelen implementar para mejorar los margenes de ruido.
A diferencia de la DRAM, en la cual la señal de la línea de salida se conecta a un capacitador, y este es el que hace oscilar la señal durante las operaciones de lectura, en las celdas SRAM son los propios biestables los que hacen oscilar dicha señal, mientras que la estructura simétrica permitedetectar pequeñas variaciones de voltaje con mayor precisión. Otra ventaja de las memorias SRAM frente a DRAM, es que aceptan recibir todos los bits de dirección al mismo tiempo.
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Características
La memoria SRAM es más cara, pero más rápida y con un menor consumo (especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto, cuando es...