Super Conodensador De Placas Paralelas Con Juntura Como Dielectrico
Páginas: 4 (757 palabras)
Publicado: 13 de abril de 2011
Capacitancia de placas paralelas con Semiconductor y Oxido Como Dieléctrico Juan Diego Díaz López Facultad de Ingeniería Electrónica Escuela Colombiana de Ingeniería Julio Garavito Resumen-Utilizando una oblea de silicio
rodeada por óxido de silicio entre las dos placas metálicas que actúan como un condensador de placas paralelas, se puede aprovechar el bajo espesor de este dieléctricoobteniendo un buen valor de capacitancia. Palabras Claves- places paralelas, capacitancia, juntura PN, dopamiento inverso.
Partiendo de la definición y del cálculo
básico de condensadores de placasparalelas, donde esta es inversamente proporcional a la distancia que separa a las placas, es claro que cuanto menor sea la distancia que separa las placas las capacidades obtenidas serán mucho más grandes,entonces por qué no utilizar la maleabilidad del silicio para usarlo como dieléctrico? El objetivo principal de este proyecto será entonces investigar, diseñar e implementar condensadores consemiconductor como dieléctrico, de forma que al crear la barrera de dopamiento inverso en el material PN la capacidad sea mayor.
Inicialmente se diseñó un condensador tradicional de placas paralelas condieléctrico compuesto por una delgada lámina de silicio con dopamiento tipo PN aislado en cada superficie por dióxido de silicio de las placas metálicas del condensador. Claramente la implementación deeste proyecto es complicada debido a la disponibilidad en el mercado local de obleas de silicio con el espesor de los materiales requeridos, por tanto se decidieron realizar experimentacionesaprovechando la inversión del canal P de los mosfets contenidos en el empaquetado 4007 (Para esta experimentación se utilizaron 4007 de Texas Instruments. Claramente este factor solo es dependiente de laoferta electrónica, posteriormente se espera experimentar y encontrar un comportamiento similar para los demás fabricantes). En el proceso del mosfet la carga en la capa de inversión es controlada por...
rodeada por óxido de silicio entre las dos placas metálicas que actúan como un condensador de placas paralelas, se puede aprovechar el bajo espesor de este dieléctricoobteniendo un buen valor de capacitancia. Palabras Claves- places paralelas, capacitancia, juntura PN, dopamiento inverso.
Partiendo de la definición y del cálculo
básico de condensadores de placasparalelas, donde esta es inversamente proporcional a la distancia que separa a las placas, es claro que cuanto menor sea la distancia que separa las placas las capacidades obtenidas serán mucho más grandes,entonces por qué no utilizar la maleabilidad del silicio para usarlo como dieléctrico? El objetivo principal de este proyecto será entonces investigar, diseñar e implementar condensadores consemiconductor como dieléctrico, de forma que al crear la barrera de dopamiento inverso en el material PN la capacidad sea mayor.
Inicialmente se diseñó un condensador tradicional de placas paralelas condieléctrico compuesto por una delgada lámina de silicio con dopamiento tipo PN aislado en cada superficie por dióxido de silicio de las placas metálicas del condensador. Claramente la implementación deeste proyecto es complicada debido a la disponibilidad en el mercado local de obleas de silicio con el espesor de los materiales requeridos, por tanto se decidieron realizar experimentacionesaprovechando la inversión del canal P de los mosfets contenidos en el empaquetado 4007 (Para esta experimentación se utilizaron 4007 de Texas Instruments. Claramente este factor solo es dependiente de laoferta electrónica, posteriormente se espera experimentar y encontrar un comportamiento similar para los demás fabricantes). En el proceso del mosfet la carga en la capa de inversión es controlada por...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.