técnica de crecimiento por MOVPE
Páginas: 4 (939 palabras)
Publicado: 20 de julio de 2014
La técnica de crecimiento por MOVPE
La técnica de crecimiento por MOVPE (epitaxia en fase vapor mediante precursores metalorganicos) es, probablemente, la técnica más utilizada para el crecimientode células solares basadas en semiconductores III-V. Es la única técnica utilizada industrialmente en su fabricación. Permite crecer estructuras semiconductoras con perfiles abruptos en composición ydopaje, al igual que espesores desde manómetros hasta micras con unas velocidades de crecimiento óptimas para la industria.
Existen diferentes técnicas de crecimiento epitaxial utilizadas ensemiconductores III-V, siendo las más utilizadas la LPE (epitaxia de fase liquida), MBE y MOVPE.
La técnica MOVPE está basada en el arrastre y posterior pirolisis cerca del substrato de precursoresmetalorganicos hidruros en fase de vapor liberando átomos del grupo III - grupo IV y donantes, los cuales difunden hacia la superficie de crecimiento, formando parte del nuevo solido.
Esta técnica tiene susorígenes en los trabajos de Manasevit de la década de los 60. El proceso se realiza entre baja presión (≈ 20 mbar) y presión atmosférica, a temperaturas alrededor de 600 ºC en un gas portador,típicamente H2 purificado a través de una membrana de Pd.
Su mayor desventaja es la alta toxicidad de los hidruros y el elevado coste de los precursores metalorgánicos, además de que las técnicas decaracterización están mucho menos desarrolladas que en el caso de MBE, de manera que la mayoría de la caracterización de material se hace mediante otras técnicas.
Por otro lado, al igual que la MBE,permite el control preciso de parámetros de materiales semiconductores como su espesor, dopaje o composición, además de tener una gran versatilidad a la hora de crecer compuestos semiconductoresposibilitando en una misma estructura semiconductora, la integración de un gran número de capas con características muy diferentes (espesor, dopaje, etc.).
Tiene las ventajas adicionales de que no existen...
La técnica de crecimiento por MOVPE (epitaxia en fase vapor mediante precursores metalorganicos) es, probablemente, la técnica más utilizada para el crecimientode células solares basadas en semiconductores III-V. Es la única técnica utilizada industrialmente en su fabricación. Permite crecer estructuras semiconductoras con perfiles abruptos en composición ydopaje, al igual que espesores desde manómetros hasta micras con unas velocidades de crecimiento óptimas para la industria.
Existen diferentes técnicas de crecimiento epitaxial utilizadas ensemiconductores III-V, siendo las más utilizadas la LPE (epitaxia de fase liquida), MBE y MOVPE.
La técnica MOVPE está basada en el arrastre y posterior pirolisis cerca del substrato de precursoresmetalorganicos hidruros en fase de vapor liberando átomos del grupo III - grupo IV y donantes, los cuales difunden hacia la superficie de crecimiento, formando parte del nuevo solido.
Esta técnica tiene susorígenes en los trabajos de Manasevit de la década de los 60. El proceso se realiza entre baja presión (≈ 20 mbar) y presión atmosférica, a temperaturas alrededor de 600 ºC en un gas portador,típicamente H2 purificado a través de una membrana de Pd.
Su mayor desventaja es la alta toxicidad de los hidruros y el elevado coste de los precursores metalorgánicos, además de que las técnicas decaracterización están mucho menos desarrolladas que en el caso de MBE, de manera que la mayoría de la caracterización de material se hace mediante otras técnicas.
Por otro lado, al igual que la MBE,permite el control preciso de parámetros de materiales semiconductores como su espesor, dopaje o composición, además de tener una gran versatilidad a la hora de crecer compuestos semiconductoresposibilitando en una misma estructura semiconductora, la integración de un gran número de capas con características muy diferentes (espesor, dopaje, etc.).
Tiene las ventajas adicionales de que no existen...
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