Tabla De Ecuaciones

Tabla 3.1 Resumen de ecuaciones importantes para la operación de uniones de pn.

Cantidad | Relación | Valores de constantes y parámetros (para Si intrínseco a T=300K) |
Concentración de potadores en silicio intrínseco(/cm3 ) | ni2=BT3e-EG/KT | B=5.4*1031K3cm6EG=1.12 eVk=8.62*10-5eVKni=1.5*1010/cm3 |
Densidad de corriente dedifusión (A/cm2) | Jp=-qDpdpdxJn=qDndndx | q=1.60*10-19CoulombDp=12cm2sDn=34cm2s |
Densidad de corriente de desplazamiento (A/cm2) | Jdespl=qpμp+nμnE | μp=480 cm2/Vsμn=1350cm2/Vs |
Resistividad (Ω cm) | ρ=1qpμp+nμn | μp y μn decrecen con el aumento en concentración de contaminación. |
Relación entre movilidad y difusividad | Dnμn=Dpμp=VT |VT≅kTqVT≈25mV |
Concentración de portadores en silicio tipo n (/cm3 ) | nn0≅NDpn0≅ni2/ND | |
Concentración de portadores en silicio tipo p (/cm3 ) | pp0≅NAnp0≅ni2/NA | |Voltaje integral de unión (V) | V0=VTlnNANDni2 | |
Ancho de la región de agotamiento(cm) | xnxp=NANDWagot=xn+xp=2εsq1NA+1NDV0+VR | εs=11.7 ε0ε0=8.85*10-14Fcm |
Cargade almacenamiento en la capa de agotamiento (coulomb) | qj=qNANDNA+NDAWagot | |
Capacitancia de agotamiento (F) | Cj=εsAWagot,Cj0=εsAWagot|Vr=0Cj=Cj01+VRV0mCj≅2Cj0(para polarización directa) | m=13a12 |
Corriente de sentido directo (A) | I=Ip+InIp=Aqni2DpLpNDeVVT-1In=Aqni2DnLnNAeVVT-1 | |
Corriente de saturación(A) |Is=Aqni2DpLpND+DnLnNA | |
Duración de portadores minoritarios(s) | τp=Lp2/(Dpτn)=Ln2/(Dn) | Lp,Ln=1 a 100μmτp,τn=1 a 104 ns |
Almacenamiento de carga de portadores minoritarios(Coulomb) | Qp=τpIp , Qn=τnInQ=Qp+Qn=τTI | τT tiempo medio de transito |
Capacitancia de difusión(F) | Cd=τTVTI | |

Kildar Gaona Piamonte 2082133
Grupo H2