Taller 5 Memorias

Taller 4
De los documentos a estudiar conteste las siguientes preguntas.

1- Describa los siguientes tipos de memorias
a. RAM: proviene de ("Read Aleatory Memory") ó memoria de lectura aleatoria: es un dispositivo electrónico que se encargada almacenar datos e instrucciones de manera temporal, de ahí el término de memoria de tipo volátil ya que pierde los datos almacenados una vez apagado elequipo; pero a cambio tiene una muy alta velocidad para realizar la transmisión de la información
b. DRAM: "Dinamic Random Access Memory", memoria dinámica de acceso aleatorio. Es el tipo de memoria más común y económica, construida con capacitores por lo que necesitan constantemente refrescar el dato que tengan almacenado, haciendo el proceso hasta cierto punto lento
c. SDRAM: SynchronousDinamic Random Access Memory", memoria dinámica de acceso aleatorio. Tecnología DRAM que utiliza un reloj para sincronizar con el microprocesador la entrada y salida de datos en la memoria de un chip. Se ha utilizado en las memorias comerciales como SIMM, DIMM, y actualmente la familia de memorias DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4, GDDR, etc.), entran en esta clasificación.
d. ROM: Read Only Memory",memoria de solo lectura: Memoria que permite un número indeterminado de lecturas pero no puede ser modificada.
e. PROM: "Programmable Read Only Memory", memoria programable de solo lectura: Memoria ROM que permite una programación y posteriormente un número indeterminado de lecturas pero no puede ser modificada
f. EPROM: "Erasable Programmable Read Only Memory", memoria programable y borrable de sololectura: Memoria PROM que permite reprogramación por medio de un dispositivo especial y borrado por medio de luz ultravioleta
g. EEPROM: "Electrically Erasable Programmable Read Only Memory", memoria eléctricamente programable y borrable de solo lectura: Evolución de las memorias EROM que permite alterar su
Contenido por medio de señales eléctricas. Es la más utilizada en las computadorasactuales para albergar el SetUp de la computadora
h. Flash NAND: el término Flash es debido a la alta velocidad que puede manejar y NAND a un tipo de conexión especial de sus elementos electrónicos (Compuerta tipo NAND): Memoria que permite almacenar datos y mantenerlos almacenados sin necesidad de alimentación eléctrica hasta por 10 años. Se utiliza en las memorias USB, memorias SD, MemoryStick deSony®, Unidades SSD, e incluso para BIOS, etc.
i. Swap / Virtual Memory De intercambio ó memoria virtual: se trata de una simulación de RAM en un área de un disco duro, lo cual no permite que se detengan servicios al escasear memoria RAM pero ralentiza a la computadora. También se puede actualmente crear SWAP en una memoria USB, utilizando el Software ReadyBoost de Microsoft® Windows Vista u otrosprogramas para Microsoft® Windows XP, de este modo se vuelve mas eficiente el equipo de cómputo.
j. Buffer: "Amortiguador": Soporta información que se encuentra en espera de ser procesada y una vez realizado ese proceso, la borra para esperar nuevos datos, puede ser espacio asignado en unas memorias RAM ó en un disco duro.
2- Que es memoria de paridad?
Es una característica integrada en loschips de memoria, la cual consiste en la detección de errores durante las operaciones de lectura dentro de la memoria, antes de que la computadora utilice el dato.
3- Que son los Niveles de Caché (L1, L2 y L3)
Las memorias caché funcionan como memorias escritas cuando están involucradas en la transferencia de datos desde un dispositivo más rápido a un dispositivo más lento.
La memoria cache L1,que significa caché de nivel 1, es un tipo de memoria pequeña y rápida que está constituida en la unidad de procesamiento central.
El caché L2 o de nivel 2 se utiliza para almacenar la información recientemente visitada. También conocido como cache secundario, está diseñado para reducir el tiempo necesario para acceder a los datos en los casos en que los datos ya se han utilizados previamente....