Taller1 Arteaga
Páginas: 4 (813 palabras)
Publicado: 2 de marzo de 2015
Simulación en LTSpice IV
Jorge A. Arteaga C. – jarteagaa@uninorte.edu.co – Cód. 200030210
Gustavo A. Mejía S. – gamejia@uninorte.edu.co – Cód. 200022394
Departamento de Ingeniería ElectrónicaUniversidad del Norte
Simulación de los transistores bjt’s
Por medio de la simulación, se encontraron los valores de β y para los transistores NPN y PNP. Para hallar el β, se utilizó la relación decorrientes entre la corriente de la base y la del colector, es decir:
El esquemático utilizado para el NPN 2N3904 se muestra en la figura 1, para obtener la gráfica de las corrientes, se varió la fuentede voltaje desde 0V a 2V, con incrementos de 0.01V, y la fuente de corriente desde 10µA a 100µA, con incrementos de 20µA.
Fig. 1. Esquemático NPN.
Con la herramienta de medición en LTSpice, se midióla corriente del colector, y la gráfica obtenida se observa en la figura 2.
Fig. 2. Gráfica IC vs. VCE
Al obtener la gráfica, se exportaron los datos numéricos para poder manejarlos en una tabla deExcel y así, hallar el β y , obteniendo diversos valores dependiendo de los incrementos. La tabla se anexa bajo el nombre tablas.xlsx. Así, en promedio, el β para los NPN es de 303, y el cambia deacuerdo a IC, pues VA es constante, recordemos que:
En la tabla se observarán los diversos valores que toma , que va disminuyendo a medida que IC va aumentando. El voltaje de Early (VA) se estimó en99.03V.
Para el caso de los transistores PNP, se utilizó la misma técnica. En este caso, el esquemático se muestra en la figura 3, se utilizó un PNP 2N3906.
Fig. 3. Esquemático PNP.
En este casotambién se tomaron los mismos incrementos para realizar la gráfica, dicha gráfica se observa en la figura 4.
Fig. 4. Gráfica IC vs. VEC
En la gráfica se observa una inversión, porque LTSpice trabajacon todas las corrientes entrando hacia el transistor, así toman un valor negativo si la corriente está saliendo. Con la gráfica, se exportaron los valores, y se hizo lo mismo que con el PNP, así, se...
Jorge A. Arteaga C. – jarteagaa@uninorte.edu.co – Cód. 200030210
Gustavo A. Mejía S. – gamejia@uninorte.edu.co – Cód. 200022394
Departamento de Ingeniería ElectrónicaUniversidad del Norte
Simulación de los transistores bjt’s
Por medio de la simulación, se encontraron los valores de β y para los transistores NPN y PNP. Para hallar el β, se utilizó la relación decorrientes entre la corriente de la base y la del colector, es decir:
El esquemático utilizado para el NPN 2N3904 se muestra en la figura 1, para obtener la gráfica de las corrientes, se varió la fuentede voltaje desde 0V a 2V, con incrementos de 0.01V, y la fuente de corriente desde 10µA a 100µA, con incrementos de 20µA.
Fig. 1. Esquemático NPN.
Con la herramienta de medición en LTSpice, se midióla corriente del colector, y la gráfica obtenida se observa en la figura 2.
Fig. 2. Gráfica IC vs. VCE
Al obtener la gráfica, se exportaron los datos numéricos para poder manejarlos en una tabla deExcel y así, hallar el β y , obteniendo diversos valores dependiendo de los incrementos. La tabla se anexa bajo el nombre tablas.xlsx. Así, en promedio, el β para los NPN es de 303, y el cambia deacuerdo a IC, pues VA es constante, recordemos que:
En la tabla se observarán los diversos valores que toma , que va disminuyendo a medida que IC va aumentando. El voltaje de Early (VA) se estimó en99.03V.
Para el caso de los transistores PNP, se utilizó la misma técnica. En este caso, el esquemático se muestra en la figura 3, se utilizó un PNP 2N3906.
Fig. 3. Esquemático PNP.
En este casotambién se tomaron los mismos incrementos para realizar la gráfica, dicha gráfica se observa en la figura 4.
Fig. 4. Gráfica IC vs. VEC
En la gráfica se observa una inversión, porque LTSpice trabajacon todas las corrientes entrando hacia el transistor, así toman un valor negativo si la corriente está saliendo. Con la gráfica, se exportaron los valores, y se hizo lo mismo que con el PNP, así, se...
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