Tara
Páginas: 3 (526 palabras)
Publicado: 4 de junio de 2011
Universidad De Oriente
Núcleo De Anzoátegui
Escuela De Ingeniería Y Ciencias Aplicadas
Departamento De Electricidad
Laboratorio De Electrónica II
PRÁCTICA # 3
EL TRANSISTOR FET CONFIGURADOCOMO AMPLIFICADOR FUENTE COMÚN(SC) CON ACOPLAMIENTO RC
Bachilleres:
Carvajal, María C.I
Delgado, Maryles C.I 20.954.487
Ramirez, Luis C.I
Sabeh, Rosibel C.I 19.538.158
Puerto La Cruz, juniode 2011
INTRODUCCIÓN
Como hemos visto hasta ahora, la presencia de condensadores en un amplificador hace que la ganancia de este dependa de la frecuencia. Los condensadores de acoplo y desacoplolimitan su respuesta a baja frecuencia, y los parámetros de pequeña señal de los transistores que dependen de la frecuencia así como las capacidades parásitas asociadas a los dispositivos limitanactivos su respuesta a alta frecuencia.
La red RC constituye una buena base para extender los conceptos establecidos al caso de amplificadores con condensadores de acoplo y desacoplo y al mismo tiempolos modelos que se utilizan para determinar FL o frecuencia de corte inferior están basados en esta red.
El análisis en alta frecuencia de los transistores FET es similar al realizado portransistores bipolares. Los condensadores que limitan la frecuencia de operación de un FET son: capacitancia puerta-fuente o Cgs, la capacitancia puerta-drenador o Cgd, y la capacitancia drenador-fuente oCds. Generalmente Cgs es mucho mayor a Cgd. Por conveniencia los fabricantes miden las capacitancias de un FET en condiciones de tre cortocuitos de tres capacitancias. El terminal puerta de un FET noesta aislado del drenaje sino que están conectados a través de Cgd.
En este sentido, comprobaremos experimentalmente respuesta a baja y alta frecuencia del transistor FET configurado como amplificadorcomún (SC) con acoplamiento RC dado.Se trata de versiones linealizadas de los modelos no lineales de gran señal del
transistor. Como en aquellos, son funciones dependientes del punto de trabajo...
Núcleo De Anzoátegui
Escuela De Ingeniería Y Ciencias Aplicadas
Departamento De Electricidad
Laboratorio De Electrónica II
PRÁCTICA # 3
EL TRANSISTOR FET CONFIGURADOCOMO AMPLIFICADOR FUENTE COMÚN(SC) CON ACOPLAMIENTO RC
Bachilleres:
Carvajal, María C.I
Delgado, Maryles C.I 20.954.487
Ramirez, Luis C.I
Sabeh, Rosibel C.I 19.538.158
Puerto La Cruz, juniode 2011
INTRODUCCIÓN
Como hemos visto hasta ahora, la presencia de condensadores en un amplificador hace que la ganancia de este dependa de la frecuencia. Los condensadores de acoplo y desacoplolimitan su respuesta a baja frecuencia, y los parámetros de pequeña señal de los transistores que dependen de la frecuencia así como las capacidades parásitas asociadas a los dispositivos limitanactivos su respuesta a alta frecuencia.
La red RC constituye una buena base para extender los conceptos establecidos al caso de amplificadores con condensadores de acoplo y desacoplo y al mismo tiempolos modelos que se utilizan para determinar FL o frecuencia de corte inferior están basados en esta red.
El análisis en alta frecuencia de los transistores FET es similar al realizado portransistores bipolares. Los condensadores que limitan la frecuencia de operación de un FET son: capacitancia puerta-fuente o Cgs, la capacitancia puerta-drenador o Cgd, y la capacitancia drenador-fuente oCds. Generalmente Cgs es mucho mayor a Cgd. Por conveniencia los fabricantes miden las capacitancias de un FET en condiciones de tre cortocuitos de tres capacitancias. El terminal puerta de un FET noesta aislado del drenaje sino que están conectados a través de Cgd.
En este sentido, comprobaremos experimentalmente respuesta a baja y alta frecuencia del transistor FET configurado como amplificadorcomún (SC) con acoplamiento RC dado.Se trata de versiones linealizadas de los modelos no lineales de gran señal del
transistor. Como en aquellos, son funciones dependientes del punto de trabajo...
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