Tareas


INTRODUCCIÓN
Retomando Transistores De Potencia
TRANSISTOR MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor o MOSFET es un transistor utilizado para amplificar oconmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) ysustrato (B), el sustrato generalmente está conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores deefecto de campo.

TRANSISTOR BIPOLAR BJT
El transistor de unión bipolar  es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar elpaso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivosy electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Un transistor de unión bipolar consisteen tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector.
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándosecomo un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión muchomayor

Transistor IGBT
Es un tipo de transistor que combina las características del transistor bipolar (BJT) y las de un MOSFET; es un transistor híbrido.
Es un transistor bipolar de puerta...