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..Como todos los demás, el átomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el núcleo, como electrones en las órbitas que le rodean. (En el caso del silicio este número es de 14). El interés delsemiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparición de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocidos, un electrón se siente más ligado alnúcleo cuanto mayor sea su cercanía entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atracción por parte del núcleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentranen las órbitas exteriores. Estos electrones pueden, según lo dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequeña energía.
Semiconductores Intrínsecos
Los semiconductores intrínsecos sonlos cristales semiconductores puros. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energía térmica. En ellos, el número dehuecos es igual al número de electrones y es función de la temperatura del cristal. La conductividad en ellos a temperatura ambiente no suele ser muy alta, y la cantidad de electrones libres es igual ala cantidad de huecos presente en el cristal debido al fenómeno de recombinación. A una determinada temperatura, las velocidades de creación de pares electrón-hueco, y de recombinación se igualan, demodo que la concentración global de electrones y huecos permanece invariable.
Siendo n la concentración de electrones (cargas negativas) y p la concentración de huecos (cargas positivas), se cumpleque:
ni=n=p
ni Siendo la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura. Al someter al cristal a una diferencia de tensión, se producen dos corrientes eléctricas.Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conducción, y por otro lado, la corriente debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán...