TBJ TRANSISTORES

Práctica #4
Transistor BJT
Introducción
Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar y si éste es NPN o
PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas de especificaciones que proporciona el
fabricante y que nos indican como están ubicadas las terminales de emisor, colector y base.
En el laboratorio es conveniente comprobarque esta ubicación es correcta y que el dispositivo este en buen
estado.
En el caso, en que no se cuente con la información suficiente, mediante algunas mediciones realizadas en el
laboratorio, es posible identificar las terminales de los transistores bipolares y el tipo de transistor NPN o PNP
de que se trate.

Objetivos
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Identificar las terminales del transistor bipolar.Comprobar el efecto transistor.
Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unión base-emisor y de la unión colector-base de
un transistor bipolar de silicio de tecnología planar.
Obtener las curvas características de entrada del transistor bipolar en configuración de
emisor común. Observar su variación con el voltaje de colector-emisor.
Hacer conclusiones y reportar los datos, gráficas ymediciones llevadas a cabo durante la
realización de esta práctica.

Teoría
1.- Entregue las hojas de especificación de los transistores.
2.- Entregue un pequeño resumen del comportamiento del Transistor (Símbolos, construcción interna,
diagrama típico de uniones, modelo matemático, comportamiento gráfico de entrada y salida, principales
parámetros y su definición, circuitos equivalentes,parámetro "h", polarización típica y bibliografía.
Equipo
Para realizar la presente práctica es necesario:
• Un transistor de germanio npn AC127 o equivalente
• Cuatro transistores de silicio npn BC547 o equivalente
• Resistores 1K(4), 100K a 0.5w (1)
• Un osciloscopio
• Generador de funciones
Desarrollo

1.- Identificar las terminales del transistor bipolar.
a)
Usar el multímetro en sufunción de óhmetro y aplicar la prueba conocida como
"prueba del amplificador" e identificar las terminales del transistor.
Use un multímetro analógico en su función de óhmetro. Mida el efecto rectificante
entre las uniones emisor-base y colector-base (para el caso de un transistor NPN, cuando se
coloca el positivo de la fuente interna del óhmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera
de lasotras dos terminales deberá medirse baja resistencia, al invertir esta polaridad, la
resistencia medida deberá ser alta (use la misma escala del multímetro para la realización
de estas pruebas). Entre las terminales de colector-emisor se observará alta resistencia sin
importar como se coloque la polaridad de las terminales del óhmetro. Con estas mediciones

se comprueba la existencia de lasuniones rectificantes en el transistor bipolar y el tipo de
transistor NPN o PNP. Para distinguir la terminal de colector de la de emisor, será
necesario aplicar la "prueba del amplificador" o alguna otra que se proponga.
Habiendo diferenciado la terminal de base de las otras dos terminales, y el tipo de
transistor NPN o PNP, la prueba del amplificador consiste en lo siguiente: Para el casodel
NPN, conectar el positivo del óhmetro a la terminal que supuestamente es el colector y el
negativo al emisor, la lectura que debe aparecer en el óhmetro es de alta resistencia, en
seguida hacer contacto con el dedo entre el colector y la base (esto es equivalente a colocar
entre estas terminales una resistencia del orden de M ohms) y observar la disminución de la
resistencia medida entrecolector-emisor, cuando la terminal que se elige como colector es
la correcta esta disminución en el valor de la resistencia es considerable, si la terminal
elegida como colector no es tal, sino la de emisor, al efectuar dicha prueba la disminución
de la resistencia no será tan importante. Para estar seguro de cual es cual deberán realizarse
ambos casos y comparar las resistencias medidas....